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TRANSISTORES
Los transistores bipolares se usan generalmente en electrónica analógica. También en
electrónica
algunas aplicaciones de electrónica digital como la tecnología TTL o BICMOS.
Se consideran dispositivos activos porque pueden obtener una mayor corriente de salida
a partir de , corriente o tensión de entrada, y por lo tanto, se utilizan en amplificación de
tanto,
corrientesy tensiones.
Disponen de 3 terminales, pudiendo adoptar varias configuraciones:considerándose
como entrada dos de ellos y de salida el tercero.

CLASIFICACIÓN

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SIMBOLOGIA DE TRANSISTORES

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EL TRANSISTOR BIPOLAR BJT
Formado por dos uniones PN con tres zonas cada una conectada a los terminales:C: "Colector", la zona
central es la B:"Base" y E: "Emisor". El Emisor está muyimpurificado, la Base tiene una impurificación
muy baja, mientras que el Colector posee una impurificación intermedia.
Un transistor es similar a dos diodos, el transistor tiene dos uniones: una entre el emisor y la base y la otra
entre la base y el colector. El emisor y la base forman uno de los diodos, mientras que el colector y la base
forman el otro. Estos diodos son denominados: "Diodo deemisor" (el de la izquierda en este caso) y "Diodo
de colector" (el de la derecha en este caso).
CURVAS CARACTERÍSTICAS Y REGIONES DE
FUNCIONAMIENTO:

Curvas B-E IB (VBE) se corresponden con las de un
diodo de unión.
Curvas Ic(VCE):para diferentes valores de IB:

“IE sale; IB, IC entran”

“IE entra; IB, IC salen”

PARAMETROS DADOS POR EL FABRICANTE:
VCEO TRT en activa
VCE=15-3,6—IC =15-3,6—3,04=4,05v

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Potencia máxima de un transistor:

-

Potencia disipada por un transistor: Pc=VCE — Ic
Punto de trabajo óptimo: Pc=VCEQ= Vcc/2 ; ICQ= Vcc/2Rc

EL TRANSISTOR EN CONMUTACION
-

Un transistor trabaja en conmutación cuando ante señales de entrada en la base reacciona
funcionando en corte: Ic=0; VCE=Vcc ó en saturación:Ic=IcSAT;VCE=0,2v ó 0v.

-

Este modo defuncionamiento es útil para activar/desactivar dispositivos o para arquitectura de
puertas lógicas.
“CORTE” “SATURACION”

Β=100; VBE=0,7v
Si Ve=10v

ICSAT=(10-VCESAT)/1K =(10-0,2)/1K =9,8mA
IB=(Ve-VBE)/10K =(10-0,7)/10K =0,93mA;
IC= β — IB=100—0,93mA=93mA>ICSAT=>Ic= ICSAT=9,8mA; VCE= VCESAT=0,2v=>TRT en SAT
Si Ve=0v
IB=0mA=>Ic=0mA=>VCE=Vcc=10v=>TRT en CORTE.

“Se comporta como uninversor”.
Simulacion de punto de trabajo y recta de carga

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EJEMPLOS DE PUERTAS LOGICAS CON DIODOS Y TRANSISTORES:

Si a y b tienen un nivel bajo de
tensión( los dos transistores
estarían en corte=>Vs=VH=3v
Si a ó b tienen un nivel alto de
tensión(>0,7v)=> uno o los dos transistores
estarían en saturación=>Vs=VL=0,2v

“Circuito A”
“Circuito B”
“Circuito A”
Si a y b tienen un nivelalto de tensión=> los dos diodos no conducen=> IB>0;VBE=0,7v
=>transistor en SAT=>Vs=VL=0,2v

Si a ó b tienen un nivel bajo de tensión=> Uno o los dos diodos conducen=> VBEtransistor en CORTE=>Vs=VH=5V.
“Circuito B”

Si a y b tienen un nivel alto de tensión=> los dos diodos no conducen=> T1 en SAT D3 conduce
y Ve>0,7v =>T2 en SAT=>Vs=VL=0,2v
Si a ó b tienen un nivel bajo de tensión=> Uno olos dos diodos conducen=> VBT2 en CORTE=>Vs=VH=5V.

-Siempre que en a o b haya un nivel bajo, el transistor
multiemisor conducirá porque Vbe>0,7v.
=>T no conduce porque su corriente de base es negativa.
=>T2 no conduce porque Vb2=0, ya que la IE de T es cero.
=>El diodo no conduce=> T1 en corte(no conduce)=>Vc2=5v.
-Si a y b son niveles altos, el transistor multiemisor no
conduce porque VbeTconduce porque su corriente de base es positiva.
=>T1 y T2 conducen en saturación porque Vb1,Vb2>0,7v ,ya
que la IE de T es >0.
=>El diodo conduce=> =>Vc2=Vce2sat=0,2v.

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ENCAPSULADOS DE TRANSISTORES
- El TO-92: Para la amplificación de pequeñas señales. La asignación de patitas
(emisor - base - colector) no está estandarizado.
- El TO-18: Es metálico. En la carcasa hay un pequeño...