de todito!
Páginas: 8 (1803 palabras)
Publicado: 20 de octubre de 2013
CARACTERÍSTICAS DEL DIODO DE JUNTURA
1.0 OBJETIVOS
Una vez completado este módulo, usted debe estar capacitado para:
1. Dibujar el símbolo utilizado para representar diodos y marcar el ánodo y el cátodo.
2. Recordar de qué manera el diodo es polarizado de forma directa.
3. Bosquejar el diodo ideal en un circuito que produce polarización directa.
4. Bosquejar el circuitoresistivo equivalente de un diodo real.
5. Recordar de qué manera el diodo es polarizado en forma inversa.
6. Bosquejar el diodo ideal en un circuito que produce polarizaci6n inversa.
7. Recordar cómo se obtiene la curva característica de un diodo (V- I).
8. Recordar cómo se obtiene la resistencia óhmica de un diodo.
9. Recordar el modelo de un diodo que usa la resistenciadinámica.
2.0 EXPLICACION
Los diodos semiconductores se usan en prácticamente todos los equipos electrónicos que se hallan en el hogar, el comercio y la industria. Uno de los usos primarios de los diodos consiste en cambiar AC a CC. Los diodos son representados por el símbolo de la Figura 1a, y vienen en una variedad de formas, como las mostradas en la Figura 1b.
Figura 1a. Símbolo deldiodo
Figura 1b. Formas típicas de los diodos (Package)
Figura 1c. Diodo de juntura PN
Los materiales semiconductores utilizados para fabricar diodos son germanio o silicio. La mayoría de los diodos en uso son de silicio. El diagrama de la Figura 1c muestra que un diodo esta compuesto por dos partes, separadas por una JUNTURA (también denominada BARRERA o UNIÓN). Los extremos estánfabricados de:
a. Germanio o silicio tipo P
b. Germanio o silicio tipo N
El silicio utilizado para fabricar diodos se presenta en forma cristalina, creado artificialmente en un laboratorio. Para hacer un material tipo N, dentro del cristal se introduce una impureza que tiene un electrón de valencia más que el silicio. Este proceso de agregar impurezas es denominado IMPURIFICACION. Lasimpurezas agregan electrones extra, denominados PORTADORES, como se muestra en la Figura 2.
Figura 2. Juntura o Unión PN
El otro extremo del cristal es un material tipo P, producido mediante la impurificación con una impureza que tiene un electrón de valencia menos que el silicio. Los portadores en los materiales tipo P aparecen como cargas positivas, denominadas HUECOS. En un rnatetia1semiconductor el hueco es producido por la ausencia de un e1ectrón.
En la juntura entre materiales tipo P y N existe una barrera, que es el resultado de la migración de las cargas a través de la juntura y sus recombinaciones. Las cargas que cruzan la juntura o que se combinan con cargas opuestas, dejan atrás suyo iones que forman la barrera. Esta barrera es de unos 0.3 voltios para el germanio yde 0.6 voltios para el silicio. La región cerca de la barrera es denominada REGION DE DEPLECCIÓN (también llamada “región de agotamiento” o “región de transición”), debido a la ausencia de portadores.
POLARI ZACION DIRECTA
En la Figura 3a el diodo esta conectado en polarizaci6n directa, y la corriente circula a través del diodo. Note que la dirección de la corriente convencional es en elsentido de la flecha. Recuerde que las cargas iguales se repelen en circuitos eléctricos, y que por lo tanto, el terminal negativo de la batería en la Figura 3b repele los portadores de cargas negativas en el mateia1 tipo N, y ellos se mueven a través de la batería hacia el terminal positivo de la batería. Los huecos son repelidos por el terminal positivo de la batería, y también se mueven a travésde la batería. Si la tensión de la batería es menor que la tensión de la barrera, a tras de la juntura pasarán muy pocos portadores.
Figura 3a
Polarización Directa
Figura 3b
Portadores que cruzan la barrera
DIODO IDEAL
El diodo ideal, aunque por su misma definición es inexistente, es muy útil para explicar cómo operan los diodos en los circuitos. Cuando el diodo ideal tiene...
1.0 OBJETIVOS
Una vez completado este módulo, usted debe estar capacitado para:
1. Dibujar el símbolo utilizado para representar diodos y marcar el ánodo y el cátodo.
2. Recordar de qué manera el diodo es polarizado de forma directa.
3. Bosquejar el diodo ideal en un circuito que produce polarización directa.
4. Bosquejar el circuitoresistivo equivalente de un diodo real.
5. Recordar de qué manera el diodo es polarizado en forma inversa.
6. Bosquejar el diodo ideal en un circuito que produce polarizaci6n inversa.
7. Recordar cómo se obtiene la curva característica de un diodo (V- I).
8. Recordar cómo se obtiene la resistencia óhmica de un diodo.
9. Recordar el modelo de un diodo que usa la resistenciadinámica.
2.0 EXPLICACION
Los diodos semiconductores se usan en prácticamente todos los equipos electrónicos que se hallan en el hogar, el comercio y la industria. Uno de los usos primarios de los diodos consiste en cambiar AC a CC. Los diodos son representados por el símbolo de la Figura 1a, y vienen en una variedad de formas, como las mostradas en la Figura 1b.
Figura 1a. Símbolo deldiodo
Figura 1b. Formas típicas de los diodos (Package)
Figura 1c. Diodo de juntura PN
Los materiales semiconductores utilizados para fabricar diodos son germanio o silicio. La mayoría de los diodos en uso son de silicio. El diagrama de la Figura 1c muestra que un diodo esta compuesto por dos partes, separadas por una JUNTURA (también denominada BARRERA o UNIÓN). Los extremos estánfabricados de:
a. Germanio o silicio tipo P
b. Germanio o silicio tipo N
El silicio utilizado para fabricar diodos se presenta en forma cristalina, creado artificialmente en un laboratorio. Para hacer un material tipo N, dentro del cristal se introduce una impureza que tiene un electrón de valencia más que el silicio. Este proceso de agregar impurezas es denominado IMPURIFICACION. Lasimpurezas agregan electrones extra, denominados PORTADORES, como se muestra en la Figura 2.
Figura 2. Juntura o Unión PN
El otro extremo del cristal es un material tipo P, producido mediante la impurificación con una impureza que tiene un electrón de valencia menos que el silicio. Los portadores en los materiales tipo P aparecen como cargas positivas, denominadas HUECOS. En un rnatetia1semiconductor el hueco es producido por la ausencia de un e1ectrón.
En la juntura entre materiales tipo P y N existe una barrera, que es el resultado de la migración de las cargas a través de la juntura y sus recombinaciones. Las cargas que cruzan la juntura o que se combinan con cargas opuestas, dejan atrás suyo iones que forman la barrera. Esta barrera es de unos 0.3 voltios para el germanio yde 0.6 voltios para el silicio. La región cerca de la barrera es denominada REGION DE DEPLECCIÓN (también llamada “región de agotamiento” o “región de transición”), debido a la ausencia de portadores.
POLARI ZACION DIRECTA
En la Figura 3a el diodo esta conectado en polarizaci6n directa, y la corriente circula a través del diodo. Note que la dirección de la corriente convencional es en elsentido de la flecha. Recuerde que las cargas iguales se repelen en circuitos eléctricos, y que por lo tanto, el terminal negativo de la batería en la Figura 3b repele los portadores de cargas negativas en el mateia1 tipo N, y ellos se mueven a través de la batería hacia el terminal positivo de la batería. Los huecos son repelidos por el terminal positivo de la batería, y también se mueven a travésde la batería. Si la tensión de la batería es menor que la tensión de la barrera, a tras de la juntura pasarán muy pocos portadores.
Figura 3a
Polarización Directa
Figura 3b
Portadores que cruzan la barrera
DIODO IDEAL
El diodo ideal, aunque por su misma definición es inexistente, es muy útil para explicar cómo operan los diodos en los circuitos. Cuando el diodo ideal tiene...
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