Defectos de embutido

REPUBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA
UNIVERSIDAD GRAN MARISCAL DE AYACUCHO
PUERTO ORDAZ. ESTADO BOLIVAR
CATEDRA: GERENCIA LOGISTICA
PTO ORDAZ EDO. BOLIVAR

Prof.: Ing.: Carleny Larez Alumno: Blanco Wilmer 19.703.055



Ciudad Guayana, martes 09 de noviembre de 2010
INTRODUCCION
Los productos cerámicos tienen una enorme variedad de aplicaciones,comenzando con el ladrillo común para la construcción, pasando por la porcelana delicada y llegando al vidrio óptico especializado.
Las propiedades físicas de los materiales cerámicos pueden ser medidas y cuantificadas a través de ensayos y pruebas de laboratorio. Es más, muchas de estas pruebas se hallan normalizadas y cuentan con protocolos exactos que describen la forma de desarrollarlas yllevarlas a cabo.
Un circuito integrado esta formado por un monocristal de silicio de superficie normalmente comprendida entre 1 y 10 mm de lado, que contiene elementos activos y pasivos. En este capitulo se describen cualitativamente los procesos empleados en la fabricación de tales circuitos. Estos procesos son:
Preparación de la oblea, Crecimiento Epitaxial, Difusión de Impurezas, Implantación deIones, Crecimiento del Oxido, Fotolitografia, Grabado Químico y Mentalización.
Se emplea el proceso múltiple que ofrece una excelente identidad de resultados en la producción de un elevado número de circuitos integrados a bajo costo.

1. ¿Qué proceso y de que material cerámico se fabrican los circuitos integrados?
Un circuito integrado esta formado por un monocristal de silicio desuperficie normalmente comprendida entre 1 y 10 mm de lado, que contiene elementos activos y pasivos. La fabricación de circuitos integrados es un proceso complejo y en el que intervienen numerosas etapas. Cada fabricante de circuitos integrados tiene sus propias técnicas que guardan como secreto de empresa, aunque las técnicas son parecidas.
Los dispositivos integrados pueden ser tanto analógicos comodigitales, aunque todos tienen como base un material semiconductor, normalmente el silicio.
A continuación presentaremos los pasos para la fabricación de un circuito integrado (CI), mediante el proceso o tecnología planar:
La tecnología planar para la fabricación de CI bipolares y MOS, comprende varios procesos a saber:
(1) Crecimiento del Cristal del Sustrato.
(2) Crecimiento Epitaxial.(3) Oxidación.
(4) Fotolitografia y Grabado Químico.
(5) Difusión.
(6) Implantación de Iones.
(7) Mentalización
Crecimiento del Cristal del Sustrato – Producción de la Oblea
Un fino cristal de silicio se sujeta a una varilla y se introduce en un crisol con silicio fundido al que se han añadido impurezas aceptadoras. Se retira muy lentamente en condiciones muy controladas la varilladel silicio fundido. A medida que se va extrayendo se va formando un lingote de cristal tipo p de unos 10 cm de diámetro y 50 cm de longitud. Esta técnica se conoce como proceso CZOCHRALSKI o simplemente CZ. Se corta el lingote en obleas circulares de un espesor aproximado de 0,2 mm que formaran el sustrato sobre el que se fabricaran todos los componentes integrados. Una de las caras de la oblea selapida y pule para eliminar las imperfecciones superficiales antes de proseguir con el siguiente paso.
Crecimiento Epitaxial
En la fabricación de CI se emplea el proceso epitaxial para crecer una capa de silicio como ampliación de la existente en la oblea del mismo material. Este crecimiento se lleva a cabo en un horno especial llamado reactor donde se introducen las obleas de siliciocalentándolas hasta 900 a 1.000ºC. En la tecnología corriente, como origen del silicio a recrecer se emplea la reducción de los gases.
Oxidación
Para el éxito de la tecnología del silicio se requiere habilidad para depositar una capa de oxido sobre la superficie del silicio. Las características sobresalientes del SiO2 (dióxido de silicio) como pasivador son:
1. - Puede eliminarse con ácido...