Definiciones De Optoelectronica

Foto detector PN
Un semiconductor construido con una unión PN, sensible a la incidencia de la luz
visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que
se producirá una cierta circulación de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su
construcción, los fotodiodos se comportan como células fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luzexterior generan una tensión muy pequeña con el positivo en el ánodo y el negativo en el cátodo.
Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre
de corriente de oscuridad.

http://es.scribd.com/doc/55322526/43/Ancho-de-banda-espectral
http://es.wikipedia.org/wiki/Fotodiodo
http://platea.pntic.mec.es/~lmarti2/opto2.htm
file:///C:/Users/Usuario%20HP/Desktop/Fotodetectores.htm

Fotodetector Pin
La diferencia del fotodiodo pn que la zona útil para la generación efectiva d e u n p ar e lectrón
h ue co e s p equeña, t an s ólo l a z ona d e c arga e spacial. ¿ Cómo s olucion arlo? P ues
incrementando la zona de carga espacial. Para incrementar la zona de carga de espacio se puede
hacer dedos formas. Polarizando fuertemente el diodo en inversa o añadir entre la zona n y la puna zona no dopada, es decir, una zona intrínseca de ahí el nombre de fotodiodo pin. ¿Qué
sucede en el interior de un fotodiodo pin? Bueno pues apliquemos la misma lógica que en el caso
anterior. Un par electrón hueco generado fuera de la zona de carga de espacio tiene pocas

posibilidades de ser útil, ahora la zona de carga de espacio ha aumentado ya que al tamaño de
esta zona en un diodopn hay que añadir la zona i. Podemos hacerla tan grande como
queramos. Pues desgraciadamente no, ya que el incremento de la zona de carga de espacio hace
disminuir el campo eléctrico y por tanto la velocidad de los portadores y al anal lo que queda
perjudicado es la velocidad así que hay que cumplir un compromiso entre velocidad y volumen de
captación de portadores

Foto dectector APD
En suforma básica, un APD es un diodo pin con una fuerte polarización inversa (puede llegar a ser
del orden de miles de Voltios frente a los . 3V de un fotodiodo convencional). La principal diferencia
estructural es que la zona intrínseca se dopa ligeramente de tipo p y se la renombra como capa π.
Típicamente es más ancha que una zona i y se diseña de forma que el campo eléctrico a través de
ellasea lo más uniforma posible
Los fotones atraviesan la unión n+ p ( que se fabrica muy delgada) y
son absorbidos en la capa π, donde se generan los pares eh. El
potencial eléctrico en esta capa es suficiente para arrastrar a los
portadores hacia los contactos eléctricos. En las proximidades de la
unión n+ p el campo eléctrico es tan intenso que los electrones son
fuertemente acelerados con loque aumenta su energí a. Cuando estos electrones rápidos
colisionan con los átomos de la red cristalina, se generan nuevos pares eh, proceso conocido
como ionización por colisión. Estos pares de portadores así generados también son acelerados
con lo que tanto los electrones com o los huecos pueden contribuir al proceso de multiplicación.

Parámetro

Símbolo Unidad Si

Ge

InGaAsLongitud de onda

λ

µm

0.4-1.1 0.8-1.8 1.0-1.7

Responsividad

R

A/W

80-130 3-30

Ganancia APD

M

-

100-500 50-200 10-40

Corriente de oscuridad Id

nA

0.1-1

50-500 1-5

Tiempo de subida

tr

ns

0.1-2

0.5-0.8 0.1-0.5

Ancho de banda

Δf

GHz

0.2-1.0 0.4-0.7 1-3

5-20http://www.info-ab.uclm.es/labelec/solar/otros/infrarrojos/fotodetectores.htm

Optoacoplador
Son conocidos como optoaisladores o dispositivos de acoplamiento óptico, basan su
funcionamiento en el empleo de un haz de radiación luminosa para pasar señales de un circuito a
otro sin conexión eléctrica. Estos son muy útiles cuando se utilizan por ejemplo, Microcontroladores
PICs y-/o PICAXE si queremos proteger nuestro microcontrolador este dispositivo es una...