Derecho de los indijenas
Páginas: 7 (1537 palabras)
Publicado: 7 de septiembre de 2010
HISTORIA DE LA ELECTRONICA POTENCIAL
Empezó a hacer historia en el año de 1900, con la introducción del rectificador de arco de mercurio.
Posteriormente aparecieron, el rectificador de tanque metálico, el rectificador de tubo al alto vació de rejilla controlada, el ignito y el tiratrón, los cuales se aplicaron al control de la energía hasta la década de 1950.
En 1948, los señoresJon bordeen, Walter Brattainse y William Shockley de la bell telefonee laboratorios, presentan un transistor de punta de contacto simple, es decir, inventan el transistor de silicio e inician con ello la primera revolución electrónica.
Fue el nacimiento de la tecnología electrónica. La mayoría de las tecnologías electrónicas avanzadas actuales tienen su origen en esta invención.
En 1956,científicos. De la bell telefonee laboratorios inventan el transistor de disparo PNP, que se definió como tiristor ó rectificador controlado de silicio.
En 1958 la general compañía eléctrica desarrolló el tristór comercial, causando, la segunda revolución electrónica “. Siendo este el principio de una nueva era en la electrónica de potencia.
Simultáneamente, en 1958, Jack Kelby de Texasinstrumento, inventó el circuito integrado, esta fue la revolución de la micro electrónica.
Los circuitos integrados, a través del uso de microprocesadores y los microcontroladores, se utilizan extensamente para controlar semiconductores de potencia. Así como la revolución microelectrónica ha dado al hombre la capacidad de procesar información a una velocidad increíble, la "revolución de laelectrónica de potencia le ha dado la capacidad de dar forma y controlar grandes cantidades de energía, con una eficiencia cada vez mayor.
Con la fusión de la electrónica de potencia que es la que aporta la fuerza y la microelectrónica que es el cerebro que proporciona el control y se han descubierto muchas aplicaciones potenciales de la electrónica de potencia.
Hasta 1970, los tiristores sehabían fabricado para ser utilizados en forma exclusiva para el control de energía en aplicaciones industriales.
A partir de 1970, se desarrollaron dispositivos semiconductores de potencia para uso comercial, siendo los más utilizados los siguientes:
Diodos de potencia, Tiristores, Transistores bipolares de juntura (bjt), mosfet de potencia, transistores bipolares de compuerta aislada(igbt).
El principal objetivo de esta disciplina es el procesamiento de energía con la máxima eficiencia posible, por lo que se evitan utilizar elementos resistivos, potenciales generadores de pérdidas por efecto joule. los principales dispositivos utilizados por tanto son bobinas y condensadores, así como semiconductores trabajando en modo corte/saturación (on/off).
Los igbt (transistoresbipolares de compuerta aislada), son transistores de potencia controlados por voltaje, mas rápidos que los bjt, pero mas lentos que los mosfets. los hay para hasta 1200 v, 400 a y frecuencias de 20 khz.
El sit (transistor de inducción estática), es un dispositivo de alta frecuencia y alta potencia, es la versión en estado sólido del tubo de vació tríodo, es un dispositivo de bajo ruido, bajadistorsión y es aplicado en vhf, uhf y amplificadores de microondas, no se aplica en convertidores debido a que en conducción presenta alta caída de voltaje.
Dispositivos que ha sustituido la electrónica de potencia.
Los dispositivos semiconductores de potencia están reemplazado con éxito a los siguientes componentes: tiratrones, relys, ignitrones, rheostats, motor starters, transformes,contactos, variable autotransformers, vacua tubes, machanical speed changers, etc.
Dentro de los dispositivos electrónicos de potencia, podemos citar: los diodos y transistores de potencia, el tiristor, así como otros derivados de éstos, tales como los triac, diac, conmutador unilateral o sus, transistor uniunión o ujt, el transistor uniunión programable o put y el diodo shockley.
Existen...
Empezó a hacer historia en el año de 1900, con la introducción del rectificador de arco de mercurio.
Posteriormente aparecieron, el rectificador de tanque metálico, el rectificador de tubo al alto vació de rejilla controlada, el ignito y el tiratrón, los cuales se aplicaron al control de la energía hasta la década de 1950.
En 1948, los señoresJon bordeen, Walter Brattainse y William Shockley de la bell telefonee laboratorios, presentan un transistor de punta de contacto simple, es decir, inventan el transistor de silicio e inician con ello la primera revolución electrónica.
Fue el nacimiento de la tecnología electrónica. La mayoría de las tecnologías electrónicas avanzadas actuales tienen su origen en esta invención.
En 1956,científicos. De la bell telefonee laboratorios inventan el transistor de disparo PNP, que se definió como tiristor ó rectificador controlado de silicio.
En 1958 la general compañía eléctrica desarrolló el tristór comercial, causando, la segunda revolución electrónica “. Siendo este el principio de una nueva era en la electrónica de potencia.
Simultáneamente, en 1958, Jack Kelby de Texasinstrumento, inventó el circuito integrado, esta fue la revolución de la micro electrónica.
Los circuitos integrados, a través del uso de microprocesadores y los microcontroladores, se utilizan extensamente para controlar semiconductores de potencia. Así como la revolución microelectrónica ha dado al hombre la capacidad de procesar información a una velocidad increíble, la "revolución de laelectrónica de potencia le ha dado la capacidad de dar forma y controlar grandes cantidades de energía, con una eficiencia cada vez mayor.
Con la fusión de la electrónica de potencia que es la que aporta la fuerza y la microelectrónica que es el cerebro que proporciona el control y se han descubierto muchas aplicaciones potenciales de la electrónica de potencia.
Hasta 1970, los tiristores sehabían fabricado para ser utilizados en forma exclusiva para el control de energía en aplicaciones industriales.
A partir de 1970, se desarrollaron dispositivos semiconductores de potencia para uso comercial, siendo los más utilizados los siguientes:
Diodos de potencia, Tiristores, Transistores bipolares de juntura (bjt), mosfet de potencia, transistores bipolares de compuerta aislada(igbt).
El principal objetivo de esta disciplina es el procesamiento de energía con la máxima eficiencia posible, por lo que se evitan utilizar elementos resistivos, potenciales generadores de pérdidas por efecto joule. los principales dispositivos utilizados por tanto son bobinas y condensadores, así como semiconductores trabajando en modo corte/saturación (on/off).
Los igbt (transistoresbipolares de compuerta aislada), son transistores de potencia controlados por voltaje, mas rápidos que los bjt, pero mas lentos que los mosfets. los hay para hasta 1200 v, 400 a y frecuencias de 20 khz.
El sit (transistor de inducción estática), es un dispositivo de alta frecuencia y alta potencia, es la versión en estado sólido del tubo de vació tríodo, es un dispositivo de bajo ruido, bajadistorsión y es aplicado en vhf, uhf y amplificadores de microondas, no se aplica en convertidores debido a que en conducción presenta alta caída de voltaje.
Dispositivos que ha sustituido la electrónica de potencia.
Los dispositivos semiconductores de potencia están reemplazado con éxito a los siguientes componentes: tiratrones, relys, ignitrones, rheostats, motor starters, transformes,contactos, variable autotransformers, vacua tubes, machanical speed changers, etc.
Dentro de los dispositivos electrónicos de potencia, podemos citar: los diodos y transistores de potencia, el tiristor, así como otros derivados de éstos, tales como los triac, diac, conmutador unilateral o sus, transistor uniunión o ujt, el transistor uniunión programable o put y el diodo shockley.
Existen...
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