Desarrollo de pruebas de evaluacion en mosfets

Desarrollo de Pruebas de Evaluación para MOSFET’s

Debido a la importancia que presenta el conocer los distintos parámetros que caracterizan el funcionamiento de un MOSFET, se presentan acontinuación una serie de pruebas que permitan identificar dichos parámetros. Esto permitirá hacer una comparación con los datos presentes en la hoja de dato del dispositivo y las medidas obtenidas a partir delas pruebas expuestas a continuación.
Antes de exponer los métodos planteados para la determinación de los parámetros de funcionamiento de un MOSFET, se necesita conocer cada uno de esos parámetros,por lo que primeramente se definirá cada uno de estos y la importancia que tienen a la hora de la elección de un MOSFET para una aplicación en específico.

* Parámetros de un MOSFET
LosMOSFET’s han tomado una parte central en el desarrollo de equipos electrónicos encargados del manejo de potencia, esto debido a su facilidad de control en comparación con su contraparte BJT, al mismo tiempoque presenta mejores características para su utilización como un SWITCH.
A pesar de esto, se deben tomar distintos parámetros en consideración a la hora de elegir un MOSFET para una aplicación dada.Siendo estos parámetros vitales para asegurar el correcto funcionamiento del equipo diseñado y su durabilidad.

1. Voltaje de Rompimiento (BREAKDOWN VOLTAGE ): Denominado por las siglas BVDSSrepresenta el voltaje al que el transistor polarizado inversamente entra en un estado de conducción entre el SOURCE y el DRAIN, implicando esto que se produjo un rompimiento del diodo formado, debido a lapolarización inversa del transistor, entre SOURCE y DRAIN.
Este valor de voltaje suele ser especificado por la hoja de datos para una corriente de 250µA, en el que ya la corriente de fuga IDSS entraen un proceso de avalancha, produciendo de esta manera la conducción entre el SOURCE y el DRAIN a pesar de la polarización inversa del dispositivo.

2. Resistencia de encendido: Denominada...