Detector de proximidad
Páginas: 4 (929 palabras)
Publicado: 16 de noviembre de 2010
DETECTOR DE PROXIMIDAD POR INFRARROJO
FOTODIODO
Son dispositivos semiconductores construidos a base de una unión P-N, sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja.
Sufuncionamiento esta basado en el fenómeno inverso de los LED, es decir, que en este caso se produce una separación de huecos y electrones, como consecuencia de la absorción de la energía de la luz incidentesobre la estructura del semiconductor.
La aplicación de estos componentes en los circuitos se realiza de forma que queden inversamente polarizados , con lo que produce una cierta circulación decorriente en el momento en que sean excitados por la luz exterior.
EFECTO FOTOVOLTAICO
Una característica destacable en los fotodiodos es su capacidad de comportarse como células fotovoltaicas, esdecir que en ausencia de una tensión exterior, generan un débil potencial con el positivo en el ánodo y el negativo en el cátodo.
FOTOTRANSISTOR
Figura 1. Fototransistor (Compuesto de un Fotodiodoy un Transistor)
Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, solo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:
Como un transistor normal con la corriente de base (IB)(modo común).
Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base.(modo de iluminación).
El fototransistor es muy utilizado para aplicaciones dondela detección de iluminación es muy importante. Como el fotodiodo, tiene un tiempo de respuesta muy corto, solo que su entrega de corriente eléctrica es mucho mayor.
Figura 2. Esquema Eléctrico deDetector de proximidad por infrarrojos.
FUNCIONAMIENTO DEL CIRCUITO
Se basa en emitir una ráfaga de señales luminosas infrarrojas las cuales al rebotar contra un objeto cercano reciben por otrocomponente. Al ser recibidas el sistema detecta proximidad con lo que el Led de salida se acciona (brilla).
El circuito integrado es un generador/decodificador de tonos que bien cumple con las...
FOTODIODO
Son dispositivos semiconductores construidos a base de una unión P-N, sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja.
Sufuncionamiento esta basado en el fenómeno inverso de los LED, es decir, que en este caso se produce una separación de huecos y electrones, como consecuencia de la absorción de la energía de la luz incidentesobre la estructura del semiconductor.
La aplicación de estos componentes en los circuitos se realiza de forma que queden inversamente polarizados , con lo que produce una cierta circulación decorriente en el momento en que sean excitados por la luz exterior.
EFECTO FOTOVOLTAICO
Una característica destacable en los fotodiodos es su capacidad de comportarse como células fotovoltaicas, esdecir que en ausencia de una tensión exterior, generan un débil potencial con el positivo en el ánodo y el negativo en el cátodo.
FOTOTRANSISTOR
Figura 1. Fototransistor (Compuesto de un Fotodiodoy un Transistor)
Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, solo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:
Como un transistor normal con la corriente de base (IB)(modo común).
Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base.(modo de iluminación).
El fototransistor es muy utilizado para aplicaciones dondela detección de iluminación es muy importante. Como el fotodiodo, tiene un tiempo de respuesta muy corto, solo que su entrega de corriente eléctrica es mucho mayor.
Figura 2. Esquema Eléctrico deDetector de proximidad por infrarrojos.
FUNCIONAMIENTO DEL CIRCUITO
Se basa en emitir una ráfaga de señales luminosas infrarrojas las cuales al rebotar contra un objeto cercano reciben por otrocomponente. Al ser recibidas el sistema detecta proximidad con lo que el Led de salida se acciona (brilla).
El circuito integrado es un generador/decodificador de tonos que bien cumple con las...
Leer documento completo
Regístrate para leer el documento completo.