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INTRODUCCIÓN
El transistor de efecto de campo (FET) (por sus siglas
en inglés Field-Effect-Transistor) es un dispositivo de

Capítulo 5

tres terminales que se utiliza en diversas aplicaciones,
en gran parte, similares a las del transistor BJT que
estudiamos en capítulos pasados.

Transistores de Efecto de Campo

El término efecto de campo, para el caso del FET, se
establece un campoeléctrico mediante las cargas
presentes, que controlará la trayectoria de conducción
del circuito de salida, sin la necesidad de un contacto
directo entre las cantidades controladoras y controladas.
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FET

Tipos de FET

Los FET’s (Field – Effect Transistors) son parecidos a los BJT’s
(Bipolar Junction Transistors).
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Similitudes:
• Amplificadores
• Dispositivos deConmutación
• Circuitos de Acople de impedancia

JFET ~ Transistor de Efecto de Campo de Unión

• MOSFET ~ Transistor de Efecto de Campo
Metal Óxido Semiconductor

Diferencias:
• FET’ es un dispositivo controlado por voltaje mientras que los
BJT’s son dispositivos controlados por corriente.
• FET’s tienen una alta impedancia de entrada, pero los BJT’s
tienen mayores ganancias.
• FET’s son menossensibles a variaciones de temperatura y debido
a su construcción son integrados con más facilidad en IC’s.
• FET’s son generalmente más sensibles a la estática que los BJT’s.
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- D-MOSFET ~ MOSFET Decremental
- E-MOSFET ~ MOSFET Incremental

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Construcción del JFET

Operación Básica del JFET

Existen dos tipos de JFET’s: Canal-n y Canal-p.
El Canal-n es el más utilizado.La operación del JFET puede ser comparada a un grifo:

Existen 3 terminales: Drenaje (D) y Fuente (S) estan conectadas al canal-n
Compuerta (G) está conectada al material tipo-p
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Características de Operación de JFET

La presión de la fuente de agua – electrones acumulados en el polo negativo del
voltaje de Drenaje a Fuente
EL drenaje del agua – la deficiencia de electrones (o huecos)en el polo positivo
del voltaje aplicado de Drenaje a Fuente.
El control del flujo de agua – Voltaje de compuerta que controla el ancho del
canal-n, el cual controla el flujo de electrones en el canal-n de Fuente a Drenaje.
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A. VGS = 0, VDS incremento a un valor positivo

Existen tres condiciones de operación básicas para el JFET:

A.

VGS = 0, VDS incremento a algún valor positivoB.

VGS < 0, VDS a algún valor positivo

C.

Resistor – Controlado por Voltaje

Tres cosas ocurren cuando VGS = 0 y VDS se incrementa de 0 a un voltaje más positivo :
• la región de agotamiento entre la compuerta-p y el canal-n crece al combinarse electrones
del canal-n con huecos de la compuerta-p.• incremento de la región de agotamiento,
decrece el tamaño del canal-n lo cualincrementa la resistencia del canal-n.
• Aunque la resistencia del canal-n se incremente, la corriente (ID) de Fuente a Drenaje a
través del canal-n se incrementa. Esto es porque VDS se incrementa.
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Saturación

Pinch-off

Si VGS = 0 y VDS se incrementa a un voltaje más positivo, entonces la zona de
agotamiento se hace tan grande que provocará estrechamiento del canal-n.
Estoindica que la corriente en el canal-n (ID) caerá a 0A, pero ésta hace
justamente lo opuesto: al incrementarse VDS, se incrementa ID.

En el punto de estrechamiento (pinch-off point) :
• Cualquier incremento en VDS no produce ningún incremento en ID. El voltaje VDS
en estrechamiento se denota como Vp.
• ID mantiene un nivel de saturación o máximo. Esta es llamada IDSS.
• El valor óhmico delcanal está al máximo.

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ID < IDSS

B. VGS < 0, VDS algún valor positivo

Cuando VGS se hace más negativo la región de agotamiento se incrementa.
El efecto de la polarización negativa aplicada, es el de establecer regiones
de agotamiento similares a las obtenidas cuando VGS =0V, pero a niveles
menores de VDS, como se muestra a continuación.
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Al hacerse VGS más negativo:
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