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The MOSFET as a Switch EL MOSFET COMO INTERRUPTOR
We saw previously, that the N-channel, Enhancement-mode MOSFET operates using a positive input voltage and has an extremely high input resistance (almost infinite) making it possible to interface with nearly any logic gate or driver capable of producing a positive output. Vimos anteriormente, que el canal N, de modo mejorado MOSFET funciona conun voltaje de entrada positivo y tiene una resistencia de entrada muy alta (casi infinita) que permite interactuar con casi cualquier puerta lógica o un controlador capaz de producir una salida positiva. Also, due to this very high input ( Gate ) resistance we can parallel together many different MOSFETs until we achieve the current handling limit required. Además, debido a esta entrada muy alta(Gate) de resistencia que puede reunir a muchos MOSFETs en paralelo diferentes hasta lograr el límite de manejo de corriente necesario. While connecting together various MOSFETs may enable us to switch high currents or high voltage loads, doing so becomes expensive and impractical in both components and circuit board space. Durante la conexión de varias juntas MOSFETs nos puede permitir cambiar lascorrientes de alta tensión o alta carga, haciendo así que resulta caro y poco práctico, tanto en los componentes y el espacio de circuito. To overcome this problem Power Field Effect Transistors or Power FET's were developed. Para superar este problema de energía transistores de efecto de campo o de FET de potencia se han desarrollado.
We now know that there are two main differences between fieldeffect transistors, depletion-mode only for JFET's and both enhancement-mode and depletion-mode for MOSFETs. Ahora sabemos que hay dos diferencias principales entre los transistores de efecto de campo, el modo de agotamiento sólo para JFET y mejora tanto el modo-y el agotamiento del modo para MOSFETs. In this tutorial we will look at using the Enhancement-mode MOSFET as a Switch as thesetransistors require a positive gate voltage to turn "ON" and a zero voltage to turn "OFF" making them easily understood as switches and also easy to interface with logic gates. En este tutorial vamos a ver con el MOSFET de modo que un interruptor de estos transistores requieren una tensión de puerta positiva a su vez en "ON" y una tensión cero a su vez, "OFF" que los hace fácilmente entendida comointerruptores y también es fácil de interactuar con puertas lógicas.
The operation of the enhancement-mode MOSFET can best be described using its IV characteristics curves shown below. El funcionamiento del MOSFET de modo que mejor se puede describir con sus características curvas IV se muestra a continuación. When the input voltage, ( V IN ) to the gate of the transistor is zero, the MOSFET conductsvirtually no current and the output voltage, ( V OUT ) is equal to the supply voltage V DD . Cuando la tensión de entrada, (V IN) a la puerta del transistor es igual a cero, el MOSFET conduce prácticamente no hay corriente y la tensión de salida, (V OUT) es igual a la tensión de alimentación V DD. So the MOSFET is "fully-OFF" and in its "cut-off" region. Así que el MOSFET está "totalmente apagado" ysu "corte" la región.
MOSFET Characteristics Curves CARACTERÍSTICAS MOSFET CURVAS
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The minimum ON-state gate voltage required to ensure that the MOSFET remains fully-ON when carrying the selected drain current can be determined from the VI transfer curves above. La mínima en estado voltajede la puerta para asegurarse de que el MOSFET sigue plenamente-ON en el ejercicio de la fuga de corriente seleccionada puede determinarse a partir de las curvas de transferencia VI anterior. When V IN is HIGH or equal to V DD , the MOSFET Q-point moves to point A along the load line. Cuando V IN es alto o igual a V DD, el MOSFET punto Q se mueve del punto A a lo largo de la línea de carga. The...