diodo 1N4001 o equivalente

Investigación diodo 1N4001 ó Equivalente
Materiales de un diodo
El elemento semiconductor más usado es el silicio, el segundo el germanio, aunque idéntico comportamiento presentan lascombinaciones de elementos de los grupos 12 y 13 con los de los grupos 16 y 15 respectivamente (GaAs, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd). Posteriormente se ha comenzado a emplear también el azufre. La característicacomún a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuración electrónica s²p².
Encapsulado de un diodo
En dependencia de la tensión o voltaje que soportan, la intensidad de lacorriente de trabajo, la función específica que tendrán asignada dentro de un circuito electrónico y la potencia que disipan en watt, los diodos se comercializan con diferentes tipos de encapsulados.Además, un diodo específico puede tener tamaño y características de trabajo diferentes, así como diferente forma de encapsulado.
Corriente inversa de pico @ Ta = 25 ° C
Corriente de fuga inversaEn este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensión en dicha zona hasta que se alcanza elvalor de la tensión de la batería, tal y como se explica a continuación:
El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en elconductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batería. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los átomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de suelectrón en el orbital de conducción, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y átomo) y una carga eléctrica neta de +1, con lo que se convierten en ionespositivos.

Barrera de potencial:
Supongamos que se dispone de un mono cristal de silicio puro, dividido en dos zonas con una frontera nítida, definida por un plano. Una zona se dopa con impurezas de...