Diodo Gunn


Diodo Gunn

Diodo Gunn 3А703Б.

Circuito oscilador con diodo Gunn.

Efecto resistencia negativa en un oscilador con diodo Gunn.
El diodo Gunn es un tipo de diodo usado en la electrónica de altafrecuencia. A diferencia de los diodos ordinarios construidos con regiones de dopaje P o N, solamente tiene regiones del tipo N, razón por lo que impropiamente se le conoce como diodo. Existen en estedispositivo tres regiones; dos de ellas tienen regiones tipo N fuertemente dopadas y una delgada región intermedia de material ligeramente dopado. Cuando se aplica un voltaje determinado a través de susterminales, en la zona intermedia el gradiente eléctrico es mayor que en los extremos. Finalmente esta zona empieza a conducir esto significa que este diodo presenta una zona de resistencianegativa.
La frecuencia de la oscilación obtenida a partir de este efecto, es determinada parcialmente por las propiedades de la capa o zona intermedia del diodo, pero también puede ser ajustada exteriormente.Los diodos Gunn son usados para construir osciladores en el rango de frecuencias comprendido entre los 10Gigahertz y frecuencias aún más altas (hasta Terahertz). Este diodo se usa en combinacióncon circuitos resonantes construidos con guías de ondas, cavidades coaxiales y resonadores YIG (monocristal de granate Itrio y hierro, Yttrium Iron Garnet por sus siglas en inglés) y la sintonización esrealizada mediante ajustes mecánicos, excepto en el caso de los resonadores YIG en los cuales los ajustes son eléctricos.
Los diodos Gunn suelen fabricarse de arseniuro de galio para osciladores dehasta 200 GHz, mientras que los de nitruro de galio pueden alcanzar los 3 Terahertz.
El dispositivo recibe su nombre del científico británico, nacido en Egipto, John Battiscombe Gunn quien produjo elprimero de estos diodos basado en los cálculos teóricos del profesor y científico británico Cyril Hilsum.
Índice
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1 Efecto Gunn
2 Curva característica
2.1 Funcionamiento de resistencia...