Diodo ideal
INGENIERIA INDUSTRIAL Y DE SISTEMAS
“Resumen Fundamentos de electrónica”
Luis Enrique Andonaegui González
Hermosillo, Sonora 30 de Enero de 2012
INTRODUCCIÓN
En 1947 se desarrollo el primer transistor. Para esto la miniaturización de los componentes que se originó, abre cuestionamientos acerca de hasta dónde llegarán los límites. Ahora es posible encontrarsistemas completos sobre obleas de silicio que son miles de veces más pequeñas comparadas con un solo elemento de los primeros sistemas. Los circuitos integrados (CI) de hoy, cuentan con más de 10 millones de transistores en un área no mayor a la uña de un pulgar. La miniaturización parece estar limitada por tres factores: la calidad del propio material semiconductor, la técnica del diseño de la redy las limitaciones en el equipo de manufactura y procesamiento.
DIODO IDEAL
El más simple de los dispositivos semiconductores, pero con un papel fundamental para los sistemas electrónicos ya que cuenta con características que lo asemejan a un interruptor sencillo. Lo encontramos en una amplia gama de usos y aplicaciones desde las más simples hasta las más complejas.
El término ideal seempleará de manera frecuente en este texto a medida que nuevos dispositivos se vayan presentando, y se refiere a cualquier dispositivo o sistema que posea características ideales, es decir, perfectas en cualquier sentido. Esto sirve como base para comparaciones y muestra dónde es todavía posible realizar mejoras. El diodo ideal es un dispositivo de 2 terminales que se representa por el símbolo y poseelas características que se muestran en las siguientes figuras.
De forma ideal, un diodo conducirá corriente en la dirección definida por la flecha que se muestra en el símbolo y actuará como un circuito abierto ante cualquier intento por establecer corriente en la dirección opuesta. En esencia:
Las características de un diodo ideal son las mismas que las de un interruptor que sólo permite laconducción de corriente en una sola dirección.
Es muy importante definir los distintos símbolos de letras, polaridades de voltaje y direcciones de corriente. Si la polaridad del voltaje aplicado es consistente con las características que se muestran en la figura 1.1a, deberán considerarse las particularidades de la parte derecha del eje vertical del plano de la figura 1.1b, la parte de lascaracterísticas a considerarse son las que se encuentran en la parte superior del eje horizontal, mientras que una dirección inversa de la corriente requiere utilizar las características que se encuentran en la parte inferior. de Uno de los parámetros importantes de un diodo es la resistencia que presenta en el punto o región de operación. Si consideramos la región de conducción definida por la dirección deID y la polaridad de VD en la figura 1.1a. El valor de la resistencia directa RF queda definido por medio de la ley de Ohm como:
Rf = VfIf = 0V2,3,mA,…, o cualquier valor positivo =0Ω (circuito cerrado)
Donde Rf es el voltaje de polarización directa sobre el diodo e If es la corriente a través del mismo.
Por lo tanto, el diodo ideal se aplica potencial negativo.
Rr = VrIr = -5, -20, ocualquier potencial de polarización inversa0 mA =∞Ω (circuito abierto)
Donde Vr es el voltaje de polarización inversa sobre el diodo e Ir es la corriente en el mismo.
Por lo tanto, el diodo ideal representa un circuito abierto en la región de no conducción.
Es relativamente fácil determina si el diodo se encuentra en la región de conducción o en la de no conducción mediante la simple observaciónde la dirección de la corriente ID que establece el voltaje aplicado. Para el caso del flujo convencional (opuesto al del flujo de electrones), si la corriente resultante del diodo tiene la misma dirección que la punta de flecha del símbolo del diodo, éste se encontrará operando en la región de conducción. Si la corriente resultante tiene la dirección opuesta, será apropiado considerarlo el...
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