Diodo Rectificador

Páginas: 12 (2772 palabras) Publicado: 27 de septiembre de 2011
CONTENIDO:

Unidad | Temas | Subtemas |
1 | Circuitos de aplicación con Diodos | 1.1 Polarización 1.2 Aplicaciones 1.2.1 Rectificadores 1.2.2 Sujetadores 1.2.3 Dobladores 1.2.4 Reportadores 1.2.5 Reguladores 1.2.6 Otros diodos 1.2.7 Diseño de una fuente regulada. |
2 | Transistor Bipolar (BJT) | 2.1 Características y parámetros 2.2 Polarización de BJT 2.3 Estabilidad 2.4 CircuitosReguladores (serie y paralelo) |
3 | Transistor Unipolar (FET) | 3.1 Características y parámetros 3.2 Polarización de FET 3.3 Tipos de FET (MOSFET, JFET) 3.4 Circuitos Mixtos |
4 | Amplificadores con Transistores BJT y FET | 4.1 Modelos equivalentes del BJT y FET 4.2 Teorema de Miller 4.3 Análisis en pequeña señal del BJT y FET 4.4 Construcción de amplificador de pequeña |CIRCUITOS DE APLICACIÓN CON DIODOS.
1.- INTRODUCCION.
EL DIODO RECTIFICADOR:
Nuestro estudio lo empezaremos con la unión de dos materiales que mas adelante conoceremos como diodo,
UNION P-N.
Es la unión de dos semiconductores extrínsecos, con impurezas tipo donador y otro con impurezas tipo aceptador. Como se muestra en la figura 1y 2.Figura 1.-Semiconductor tipo P
En este material tipo P observamos que los portadores mayorías son huecos los cuales son cargas positivas, a continuaciónen la figura 2 mostraremos la región N.

Figura 2.- Semiconductor tipo N.
Este material dopado contiene un exceso de electrones que son cargas negativas por lo tanto los portadores mayorías son electrones.
Cuando tenemos estas dos piezas aisladas no representan, más que dos simples semiconductores. Pero Cuando estas piezas se unen ocurre el siguiente fenómeno que se muestra en la figura 3.En esta figura 3 se muestra que cuando se realiza la unión el efecto térmico hace que los huecos se re combinen con los electrones debido a la cercanía de la unión, obedeciendo al efecto de las cargas. Esta unión se conoce como barrera de potencial o potencial de contacto, este potencial representa la diferencia entre los extremos de la zona de transición, con la unión en circuito abierto y enequilibrio.
Para que un diodo conduzca se deben de vencer las siguientes barreras:
Para diodos de silicio Vd=0.7V. sin polarización externa y a condiciones ambientales de 25 grados centígrados.
Para diodos de germanio Vd = 0.3V


Material tipo P Barrera dePotencial Material tipo N
Flujo de electrones
-

Figura 3.- unión de las dos parte semiconductoras sin polarización.

Estos conceptos que acabamos de introducir los debemos tener en cuenta ya que son de suma importancia.
Cuando esta unión se hace en los laboratorios se consideran condiciones absolutas.
Esta unión la representaremos con el símbolo que se muestra en lafigura 4.

A K

Figura 4 símbolo de un diodo rectificador

En la figura se ilustran las letras A y K que son el Ánodo Y El Cátodo.
Ahora mostraremos unas un condensado de lo antes dicho en la figura N° 5.

Figura 5 Resumen de lo anteriormente dicho.
Como se observa en lafigura 5 la banda del diodo físicamente nos indica el Cátodo y la que no tiene banda nos indica el ánodo. En la figura 6 se indica diferentes fabricaciones de diodos.
Existen diferentes fabricantes de diodos rectificadores y en los manuales podemos ver las especificaciones del fabricante.



Figura 6 Diferentes fabricación de diodos según su potencia.

1.1.-POLARIZACION DEL DIODO...
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