Diodo schottky
Páginas: 3 (680 palabras)
Publicado: 13 de noviembre de 2011
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EL DIODO SCHOTTKY O DIODO DE BARRERA
DIODO SCHOTTKY O DE BARRERA
Son dispositivos que tienen una caída de voltaje directa (VF) muy pequeña, del orden de 0.3 V o menos. Operan a muy altasvelocidades y se utilizan en fuentes de potencia, circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales. Reciben también el nombre de diodos de recuperación rápida (Fastrecovery) o de portadores calientes.FUNCIONAMIENTO
Cuando se realiza una ensambladura entre una terminal metálica y un material
semiconductor, el contacto tiene, típicamente, un comportamiento óhmico cualquiera, la resistencia delcontacto gobierna la secuencia de la corriente. Cuando este contacto se hace entre un metal y una región semiconductora con la densidad del dopante relativamente baja, las hojas dominantes del efectodebe ser el resistivo, comenzando también a tener un efecto de rectificación. Un diodo Schottky, se forma colocando una película metálica en contacto directo con un semiconductor, según lo indicado enla figura N°2. El metal se deposita generalmente en un tipo de material N, debido a la movilidad más grande de los portadores en este tipo de material. La parte metálica será el ánodo y elsemiconductor, elcátodo.
[pic]
Figura 2. Construcción y símbolo de un diodo Schottky.
Se puede observar que solamente los electrones (los portadores mayoritarios de
ambos materiales) están entránsito. Su conmutación es mucho más rápida que la de
los diodos bipolares, una vez que no existan cargas en la región tipo N, siendo necesaria
rehacer la barrera de potencial (típicamente de 0,3V). LaRegión N tiene un dopaje
relativamente alto, a fin de reducir la pérdida de conducción, por esto, la tensión máxima soportable para este tipo de diodo está alrededor de los 100V.
[pic]
Figura 3. Curvacaracterística.
En los anexos podremos ver algunas características y curvas específicas de
funcionamiento del diodo Schottky ante diferentes parámetros tales como temperatura,
capacitancia,...
EL DIODO SCHOTTKY O DIODO DE BARRERA
DIODO SCHOTTKY O DE BARRERA
Son dispositivos que tienen una caída de voltaje directa (VF) muy pequeña, del orden de 0.3 V o menos. Operan a muy altasvelocidades y se utilizan en fuentes de potencia, circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales. Reciben también el nombre de diodos de recuperación rápida (Fastrecovery) o de portadores calientes.FUNCIONAMIENTO
Cuando se realiza una ensambladura entre una terminal metálica y un material
semiconductor, el contacto tiene, típicamente, un comportamiento óhmico cualquiera, la resistencia delcontacto gobierna la secuencia de la corriente. Cuando este contacto se hace entre un metal y una región semiconductora con la densidad del dopante relativamente baja, las hojas dominantes del efectodebe ser el resistivo, comenzando también a tener un efecto de rectificación. Un diodo Schottky, se forma colocando una película metálica en contacto directo con un semiconductor, según lo indicado enla figura N°2. El metal se deposita generalmente en un tipo de material N, debido a la movilidad más grande de los portadores en este tipo de material. La parte metálica será el ánodo y elsemiconductor, elcátodo.
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Figura 2. Construcción y símbolo de un diodo Schottky.
Se puede observar que solamente los electrones (los portadores mayoritarios de
ambos materiales) están entránsito. Su conmutación es mucho más rápida que la de
los diodos bipolares, una vez que no existan cargas en la región tipo N, siendo necesaria
rehacer la barrera de potencial (típicamente de 0,3V). LaRegión N tiene un dopaje
relativamente alto, a fin de reducir la pérdida de conducción, por esto, la tensión máxima soportable para este tipo de diodo está alrededor de los 100V.
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Figura 3. Curvacaracterística.
En los anexos podremos ver algunas características y curvas específicas de
funcionamiento del diodo Schottky ante diferentes parámetros tales como temperatura,
capacitancia,...
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