Diodo Schottky
Páginas: 17 (4248 palabras)
Publicado: 1 de junio de 2014
Física de Semiconductores.
Ing. Electrónica.
Equipo #5.
Tema:
“DIODO SHOTTKY”
1: Año de Descubrimiento.
El uso de componentes de estado sólido en la industria electrónica datan desde antes de la década de 1910.Se reconoció que ciertos dispositivos de estado sólido podrían utilizarse como rectificadores. El selenio fue ampliamente utilizado como un rectificador para telegrafía o en fotoceldas. Un nuevo rectificador avanzado se desarrolló en 1925 con base en la unión entre el cobre y oxido. Sin embargo, la física de un dispositivo de esta clase no fue comprendida. Un mayor esfuerzo para mantener elrectificador de óxido cuproso fue hecho por el laboratorio Siemens. Por esta época, Walter H. Schottky era consultor de Siemens y comenzó a abordar el problema del rectificador de unión. Junto con su colega Deutschmann, Schottky pudo demostrar, en 1929, que la rectificación ocurría en una pequeñacapa en la unión que era de solo unos cuantos cientos de angstroms de grosor. Después de aproximadamente una década de trabajo, Schottky público, en 1938, su “teoría de capa de barrera” negociando con la conducción en una unión metal-semiconductor. En realidad, el efecto de lascondiciones de la superficie sobre las propiedades de la “barrera Schottky” continúa hasta la fecha siendo un área de estudio activo tanto teórica como experimental. El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado así en honor al físico alemán Walter H. Schottky, es undispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rápidas entre los estados de conducción directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeños de 5mm de diámetro.) y muy bajas tenciones umbral (también conocidas como tenciones de codo, aunque en ingles se refieren a ella como “knee”, o sea, de rodilla.
2: Personajes que participaron con el Descubrimiento.
En 1947 los físicos JohnBardeen, Walter Brattai y William Shockey obtuvieron un efecto de amplificación en un dispositivo compuesto por dos sondas de oro prensadas sobre un cristal de germanio (un semiconductor): nacía así el transistor, que actualmente es el elemento fundamental de todo dispositivo electrónico (en 1965 estos físicos recibieron el Premio Novel.)Mas tarde, el primer ejemplar fue perfeccionado por Shockley con la introducción del transistor de unión, totalmente de materia semiconductor, gracias a los progresos efectuados por los labotorios Bell en la obtención de materias de base (germanio y silicio) con un elevado grado de pureza.La comercialización del transistor en 1951 sentó las bases para el desarrollo cualitativo y cuantitativo de la tecnología electrónica en la segunda mitad del siglo.
3: Significado del Nombre.
El Nombre del diodo Schottky o diodo de barreraSchottky, es llamado así en honor del físico alemán Walter H. Schottky, quien formulo la teoría de barrera entre un semiconductor y un metal.
4: Símbolo.
El símbolo del diodo Schottky, se muestra en la siguiente figura.
5: Descripción de Funcionamiento.
Un metal en contacto con un semiconductor moderadamente dopado puede formar un contacto rectificante llamado diodo de barrera Schottky....
Ing. Electrónica.
Equipo #5.
Tema:
“DIODO SHOTTKY”
1: Año de Descubrimiento.
El uso de componentes de estado sólido en la industria electrónica datan desde antes de la década de 1910.Se reconoció que ciertos dispositivos de estado sólido podrían utilizarse como rectificadores. El selenio fue ampliamente utilizado como un rectificador para telegrafía o en fotoceldas. Un nuevo rectificador avanzado se desarrolló en 1925 con base en la unión entre el cobre y oxido. Sin embargo, la física de un dispositivo de esta clase no fue comprendida. Un mayor esfuerzo para mantener elrectificador de óxido cuproso fue hecho por el laboratorio Siemens. Por esta época, Walter H. Schottky era consultor de Siemens y comenzó a abordar el problema del rectificador de unión. Junto con su colega Deutschmann, Schottky pudo demostrar, en 1929, que la rectificación ocurría en una pequeñacapa en la unión que era de solo unos cuantos cientos de angstroms de grosor. Después de aproximadamente una década de trabajo, Schottky público, en 1938, su “teoría de capa de barrera” negociando con la conducción en una unión metal-semiconductor. En realidad, el efecto de lascondiciones de la superficie sobre las propiedades de la “barrera Schottky” continúa hasta la fecha siendo un área de estudio activo tanto teórica como experimental. El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado así en honor al físico alemán Walter H. Schottky, es undispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rápidas entre los estados de conducción directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeños de 5mm de diámetro.) y muy bajas tenciones umbral (también conocidas como tenciones de codo, aunque en ingles se refieren a ella como “knee”, o sea, de rodilla.
2: Personajes que participaron con el Descubrimiento.
En 1947 los físicos JohnBardeen, Walter Brattai y William Shockey obtuvieron un efecto de amplificación en un dispositivo compuesto por dos sondas de oro prensadas sobre un cristal de germanio (un semiconductor): nacía así el transistor, que actualmente es el elemento fundamental de todo dispositivo electrónico (en 1965 estos físicos recibieron el Premio Novel.)Mas tarde, el primer ejemplar fue perfeccionado por Shockley con la introducción del transistor de unión, totalmente de materia semiconductor, gracias a los progresos efectuados por los labotorios Bell en la obtención de materias de base (germanio y silicio) con un elevado grado de pureza.La comercialización del transistor en 1951 sentó las bases para el desarrollo cualitativo y cuantitativo de la tecnología electrónica en la segunda mitad del siglo.
3: Significado del Nombre.
El Nombre del diodo Schottky o diodo de barreraSchottky, es llamado así en honor del físico alemán Walter H. Schottky, quien formulo la teoría de barrera entre un semiconductor y un metal.
4: Símbolo.
El símbolo del diodo Schottky, se muestra en la siguiente figura.
5: Descripción de Funcionamiento.
Un metal en contacto con un semiconductor moderadamente dopado puede formar un contacto rectificante llamado diodo de barrera Schottky....
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