Diodo schotty

75EL DIODO SCHOTTKY O DIODO DE BARRERA
LUIS LEONARDO RIVERA ABAÚNZA* RESUMEN
Es de capital importancia en la electrónica desde sus inicios el diodo en todas sus variantes y tipos. Fue el primer dispositivo que llevó a la electrónica un paso más adelante en la conquista del mundo tecnológico y aún hoy en día sigue siendo uno de los principales elementos dentro de ella, por no decir que el de másamplio uso y aplicación junto a los transistores. Se conocen muchos tipos de ellos cada uno con una aplicación y un comportamiento específico bastante conocidos, sin embargo es mucho más frecuentes encontrarnos con diodos rectificadores, varactores y hasta diodos Zéner en nuestro trabajo diario, que con diodos de barrera o diodos Schottky , por lo cual resulta muy necesario hacer una aproximaciónespecial a este dispositivo, puesto que en las aplicaciones de altas frecuencias a las que vamos dirigidos en comunicaciones es éste un elemento indispensable y no son utilizables los diodos convencionales. Se presenta por esto, una breve descripción del funcionamiento, construcción y curvas características de este dispositivo tan especial.

Palabras claves: Knee, voltaje de ruptura, pinch off,TTL, fast recovery. DIODO SCHOTTKY O DE BARRERA Son dispositivos que tienen una caída de voltaje directa (VF) muy pequeña, del orden de 0.3 V o menos. Operan a muy altas velocidades y se utilizan en fuentes de potencia, circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales. Reciben también el nombre de diodos de recuperación rápida (Fast recovery) o de portadores calientes. FUNCIONAMIENTO Cuando serealiza una ensambladura entre una terminal metálica y un material semiconductor, el contacto tiene, típicamente, un comportamiento óhmico cualquiera, la resistencia del contacto gobierna la secuencia de la corriente. Cuando este contacto se hace entre un metal y una región semiconductora con la densidad del dopante relativamente baja, las hojas dominantes del efecto debe ser el resistivo,comenzando también a tener un efecto de rectificación. Un diodo Schottky, se forma colocando una película metálica en contacto directo con un semiconductor, según lo indicado en la figura N°2. El metal se deposita generalmente en un tipo de material N, debido a la movilidad más grande de los portadores en este tipo de material. La parte metálica será el ánodo y el semiconductor, el cátodo.

ABSTRACTFrom the beginnings of electronics the diode has been very important in its whole kinds and types. It was the first element than took the electronics one step beyond in the conquest of the technology and today still being one of the main elements inside of it, and the most used with the transistors. There are many types of diodes everyone with known specifical aplications and behavior, however mostfrecuently we can find rectificators, varactors and Zener diodes in our daily work. Schottky diode is more unusual. This is one of the most important reasons to learn about it because in RF aplications in communications we need to know it and it is an indispensable element in these areas and the common diodes are uselles. Then a brief description is presented in the present paper.

Figura 1.Encapsulado comercial de un diodo
Schottky.

En una deposición de aluminio Al (3 electrones en la capa de valencia), los electrones del semiconductor tipo N migran hacía el metal, creando una región de transición en la ensambladura.

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Figura 2. Construcción y símbolo de un diodo
Schottky.

Se puede observar que solamente los electrones (los portadores mayoritarios de ambos materiales)están en tránsito. Su conmutación es mucho más rápida que la de los diodos bipolares, una vez que no existan cargas en la región tipo N, siendo necesaria rehacer la barrera de potencial (típicamente de 0,3V). La Región N tiene un dopaje relativamente alto, a fin de reducir la pérdida de conducción, por esto, la tensión máxima soportable para este tipo de diodo está alrededor de los 100V.

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