Diodo semiconductor

Soyapango, 28 de enero de 2011
Universidad Don Bosco |
Facultad de Ingeniería |
Escuela de Electrónica |
Electrónica I |
|
Alumnos: |
Dubon Lemus, Lenin Esaú DL090115 |
Flores Quintanilla, Ronald Alexander FQ090124 |
|
Instructor: |
Ing. Tania Martínez |
|
Grupo: |
05L |

Ciclo I-2011
Laboratorio 2: Diodo Semiconductor

Soyapango, 28 deenero de 2011
Universidad Don Bosco |
Facultad de Ingeniería |
Escuela de Electrónica |
Electrónica I |
|
Alumnos: |
Dubon Lemus, Lenin Esaú DL090115 |
Flores Quintanilla, Ronald Alexander FQ090124 |
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Instructor: |
Ing. Tania Martínez |
|
Grupo: |
05L |

Ciclo I-2011
Laboratorio 2: Diodo Semiconductor

PARTE I. COMPROBACION DE DIODOS.Tabla 1. Mediciones de los diodos de la tarjeta EB-111.
Diodo (Numero) | Medición en Directa | Medición en Inversa | Estado |
1N4001 | 495 mV | 1 | Bueno |
1N4148 | 492 mV | 1 | Bueno |
1N4733 | 653 mV | 1 | Bueno |

PARTE II. CARACTERISTICAS DE LOS DIODOS.

Tabla 2. Mediciones de voltajes y corrientes en polarización directa.
VD (V) | 0 | 0.1 | 0.2 | 0.3 | 0.4 | 0.45 | 0.5 | 0.55| 0.6 | 0.65 | 0.7 |
I (mA) | 0 | 0.1 μA | 0.3 μA | 1.3 μA | 19.6 μA | 74 μA | 0.32 | 0.94 | 2.55 | 8.32 | 22.7 |

Tabla 3. Mediciones de voltajes y corrientes en polarización inversa.
PS2 (V)Modo | 0 | -1 | -5 | -10 |
IINV (μA) | 0.2 | 1.0 | 5.0 | 10.1 |

PARTE III. DIODO COMO RECTIFICADOR.
Figura 1. Rectificación de una onda senoidal sin offset.
| X=0.5 msdivY=1 Vdiv |

Figura2. Rectificación de una onda senoidal con offset.
| X=0.5 msdivY=2 Vdiv |

1. Utilizando, ya sea el manual de reemplazo ECG o NTE, encuentre los datos técnicos que proporciona el manual para cada diodo que verificó en la parte I.
Tabla 4. Datos técnicos encontrados en el manual de reemplazo ECG o NTE para diodos rectificadores.
Diodo | NombreNTE | Material | Descripción y Aplicación |Encapsulado | Nº de Diagrama | VoltajePicoMáximoInverso(Volts) | CorrienteMáxima Promedioen DC(Amps) | CorrientePico Máximaen AC(Amps) | VoltajeMáximoPromedioen DC(Volts) | Tiempo deRecuperaciónen inversa(ns) |
| | | | | | PRV | IF | IFSM | VF | trr |
1N4001 | 116 | Si | Rectificador de propósito general | DO41 | 92 | 600 | 1 | 30 | 1.1 @ 1A Typ | - |
1N4148 | 519 | Si | DiodoInterruptor | DO35 | 93 | 100 | 0.3 | 2 | 1 @ 10mA | 4 |

Tabla 5. Datos técnicos encontrados en el manual de reemplazo ECG o NTE para diodo zener.
Diodo | Nombre NTE | Potencia del diodo PD | Rango de Voltaje (±5%) | N° Diagrama | Encapsulado |
1N4733 | 135A | 1 Watt | 5.1 | 92 | DO41/DO15 |

2. Grafique la relación entre ID vrs. VD empleando los datos de la tabla 2, tanto en escala lineal comoen semi-logaritmica.

3. Para cada columna de la tabla 2, calcule el valor de la resistencia de DC o resistencia estática del diodo (RD). Utilizando la siguiente relación:
RD=VDID (Ecuacion 1)
* Para VD=0 V e ID=0 A
RD=VDID=0 V0 A→Indeterminacion
* Para VD=0.1 V e ID=0.1 μA
RD=VDID=0.1 V0.1 μA=1.00 MΩ
* Para VD=0.2 V e ID=0.3 μA
RD=VDID=0.2 V0.3 μA=0.66 MΩ
* Para VD=0.3V e ID=1.3 μA
RD=VDID=0.3 V1.3 μA=230.77 KΩ
* Para VD=0.4 V e ID=19.6 μA
RD=VDID=0.4 V19.6 μA=20.41 KΩ
* Para VD=0.45 V e ID=74.0 μA
RD=VDID=0.45 V74.0 μA=6.08 KΩ
* Para VD=0.5 V e ID=0.32 mA
RD=VDID=0.5 V0.32 mA=1.56 KΩ
* Para VD=0.55 V e ID=0.94 mA
RD=VDID=0.55 V0.94 mA=585.11 Ω
* Para VD=0.6 V e ID=2.55 mA
RD=VDID=0.6 V2.55 mA=235.29 Ω
* Para VD=0.65 V e ID=8.32 mARD=VDID=0.65 V8.32 mA=78.13 Ω
* Para VD=0.7 V e ID=22.7 mA
RD=VDID=0.7 V22.7 mA=30.84 Ω
4. Usando la gráfica lineal determine la resistencia dinámica del diodo en los puntos VD=0.5 V y VD=0.65 V, asi como la resistencia promedio (av) entre los puntos VD=0.5 V y VD=0.7 V.
NOTA: Para encontrar la resistencia dinámica trace rectas tangentes a cada punto y para la resistencia promedio...