Diodo Semiconductor

Sin polarización aplicada V0= 0
Los portadores del material tipo n deben sobreponerse a las fuerzas atracción de la capa de iones positivos del material tipo n, y a la capa de iones negativos enel material tipo p, con el fin de migrar hacia el área localizada más allá del área de agotamiento del material tipo p.
En el material tipo n el número de portadores mayoritarios es tan grande queinvariablemente habrá un pequeño número de portadores mayoritarios con suficiente energía cinética para pasar a través de la región de agotamiento hacia el material tipo p.
La misma consideración sepuede aplicar a los portadores mayoritarios del material tipo p.
En ausencia de un voltaje de polarización aplicado, el flujo neto de la carga en cualquier dirección para un diodo semiconductor es cero.Condición de polarización inversa (V00V)
Una condición de polarización directa o “encendido” se establece al aplicar el potencial positivo al material tipo p y el potencial negativo al materialtipo n.
Un diodo semiconductor tiene polarización directa cuando se ha establecido la asociación tipo p y positivo, y tipo n y negativo.
Imagen
La aplicación de un potencial de polarización directa V0“presionará” los electrones en el material tipo n y los huecos en el material tipo p para que se recombinen con los iones cercanos a la unión y reducirá el ancho de la región de agotamiento.
Elflujo de electrones, portadores minoritarios, del material tipo p al material tipo n (y de los huecos del material tipo n al material tipo p) no ha cambiado en magnitud (debido a que el nivel deconducción se encuentra controlado básicamente por el número limitado de impurezas en el material), pero la reducción en el ancho de la región de agotamiento ha generado un gran flujo de portadores mayoritariosa través de la unión.
Un electrón de material tipo n una barrera muy reducida en la unión debido ala pequeña región de agotamiento y a una fuerte atracción del potencial positivo aplicado al...