Diodo semiconductor

DIODO SEMICONDUCTOR
UNIÓN P-N
Casi todos los diodos que se fabrican hoy en día están formados por dos tipo de silicio diferentes, unidos entre si.

Este conjunto sería del tipo N, ya que deja unelectrón libre pues le sobra del enlace, con lo que el átomo (azul) se convierte en un ión positivo al mismo tiempo que contribuye con la generación de un electrón libre, a este átomo lo representaremos:En el caso del tipo P, dejaría un hueco libre, con lo que el átomo se convierte en un ión negativo al mismo tiempo que contribuye con la generación de un hueco libre, a este átomo lorepresentaremos:

 


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Silicio tipo P y silicio tipo N separados
Cuando se efectúa esta unión, los electrones y los huecos inmediatos a la unión se atraen, cruzan la unión y se neutralizan.
 


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Silicio tipo P y silicio tipo N unidos.- UNIÓN P-N
Según este proceso inicial, la zono N próxima a la unión ha perdido electrones y por tanto queda cargada positivamente.Igualmente la zona P próxima a la unión ha perdido huecos, con lo que queda cargada negativamente.
Al quedar la zona N próxima a la unión cargada positivamente, rechazará a los huecos de la zona P que quierenatravesar la unión. Exactamente igual la zona P próxima a la unión impedirá el paso de los electrones provenientes de la zona N
Por tanto en la zona próxima a la unión aparece una diferencia depotencial llamada "Barrera de potencial interna", que impide el paso de portadores mayoritarios a través de la unión, no pudiendo existir corriente.
DIODO SEMICONDUCTOR
POLARIZACIÓN DIRECTA
Si ahoraaplicamos a dicha unión una tensión exterior de signo contrario a la barrera de potencial interna, ésta irá disminuyendo en anchura. A mayor tensión aplicada externamente corresponderá una barrera internamenor y podremos llegar a conseguir que dicha barrera desaparezca totalmente.
En este momento los electrones (portadores mayoritarios) de la zona N están en disposición de pasar a la zona P....