Diodo shotcky
Páginas: 18 (4395 palabras)
Publicado: 27 de marzo de 2012
INSTITUTO TECNOLÓGICO DE PUEBLA
FÍSICA DE SEMICONDUCTORES
ING. VÍCTOR MANUEL PERUSQUÍA ROMERO
INTEGRANTES: MISAEL BIBIANO BAILON
MARIO JESUS CARMONA RUIZ
ALFREDO JUAREZ RUIZ
TEMA: “DIODO SCHOTTKY”EQUIPO 5
INSTITUTO TECNOLÓGICO DE PUEBLA
FÍSICA DE SEMICONDUCTORES
ING. VÍCTOR MANUEL PERUSQUÍA ROMERO
INTEGRANTES: MISAEL BIBIANO BAILON
MARIO JESUS CARMONA RUIZ
ALFREDO JUAREZ RUIZ
TEMA: “DIODOSCHOTTKY”
EQUIPO 5
PUNTO 1: Año de descubrimiento.
El uso de componentes de estado sólido en la industria electrónica datas desde antes de la década de 1910. Se reconoció que ciertos dispositivos de estado sólido podrían utilizarse como rectificadores.
El selenio fue ampliamente utilizado como un rectificador para telegrafía o en fotoceldas. Un nuevo rectificador avanzado se desarrolló en 1925con base en la unión entre el cobre y el óxido de cobre. Sin embargo, la física de un dispositivo de esta clase no fue comprendida. Un mayor esfuerzo para entender el rectificador de óxido cuproso fue hecho en el Laboratorio Siemens.
Por esta época, Walter Schottky era un consultor de Siemens y comenzó a abordar el problema del rectificador de unión. Junto con su colega Deutschmann, Schottky pudodemostrar, en 1929, que la rectificación ocurría en una pequeña capa en la unión que era de sólo unos cuantos cientos de angstroms de grosor.
Después de aproximadamente una década de trabajo, Schottky publicó, en 1938, su “teoría de capa barrera” negociando con la conducción en una unión metal-semiconductor.
En realidad, el efecto de las condiciones de la superficie sobre las propiedades de la“barrera Schottky” continua hasta la fecha siendo un área de estudio activo tanto teórica como experimentalmente.
El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado así en honor del físico alemán Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rápidas entre los estados de conducción directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeños de 5 mm de diámetro)y muy bajas tensiones umbral (también conocidas como tensiones de codo, aunque en inglés se refieren a ella como "knee", o sea, de rodilla).
La tensión de codo es la diferencia de potencial mínima necesaria para que el diodo actúe como conductor en lugar de circuito abierto; esto, claro, dejando de lado la región Zener, que es cuando más bien existe una diferencia de potencial lo suficientementenegativa para que -a pesar de estar polarizado en contra del flujo de corriente- éste opere de igual forma como lo haría regularmente.
PUNTO 2: Personajes que participaron en el descubrimiento.
En 1945 se creó un grupo de trabajo, compuesto por físicos teóricos y experimentales, un químico y un ingeniero electrónico, en los Bell Telephone Laboratories, Ciertamente los tubos presentan elevadastemperaturas de funcionamiento.
En 1947 los físicos John Bardeen, Walter Brattain y William Shockley obtuvieron un efecto de amplificación en un dispositivo compuesto por dos sondas de oro prensadas sobre un cristal de germanio (un semiconductor): nacía así el transistor, que actualmente es el elemento fundamental de todo dispositivo electrónico (en 1965 estos físicos recibieron el Premio Nobel.Más tarde, el primer ejemplar fue perfeccionado por Shockley con la introducción del transistor de unión, totalmente de material semiconductor, gracias a los progresos efectuados por los laboratorios Bell en la obtención de materiales de base (germanio y silicio) con un elevado grado de pureza.
La comercialización del transistor en 1951 sentó las bases para el desarrollo cualitativo y...
FÍSICA DE SEMICONDUCTORES
ING. VÍCTOR MANUEL PERUSQUÍA ROMERO
INTEGRANTES: MISAEL BIBIANO BAILON
MARIO JESUS CARMONA RUIZ
ALFREDO JUAREZ RUIZ
TEMA: “DIODO SCHOTTKY”EQUIPO 5
INSTITUTO TECNOLÓGICO DE PUEBLA
FÍSICA DE SEMICONDUCTORES
ING. VÍCTOR MANUEL PERUSQUÍA ROMERO
INTEGRANTES: MISAEL BIBIANO BAILON
MARIO JESUS CARMONA RUIZ
ALFREDO JUAREZ RUIZ
TEMA: “DIODOSCHOTTKY”
EQUIPO 5
PUNTO 1: Año de descubrimiento.
El uso de componentes de estado sólido en la industria electrónica datas desde antes de la década de 1910. Se reconoció que ciertos dispositivos de estado sólido podrían utilizarse como rectificadores.
El selenio fue ampliamente utilizado como un rectificador para telegrafía o en fotoceldas. Un nuevo rectificador avanzado se desarrolló en 1925con base en la unión entre el cobre y el óxido de cobre. Sin embargo, la física de un dispositivo de esta clase no fue comprendida. Un mayor esfuerzo para entender el rectificador de óxido cuproso fue hecho en el Laboratorio Siemens.
Por esta época, Walter Schottky era un consultor de Siemens y comenzó a abordar el problema del rectificador de unión. Junto con su colega Deutschmann, Schottky pudodemostrar, en 1929, que la rectificación ocurría en una pequeña capa en la unión que era de sólo unos cuantos cientos de angstroms de grosor.
Después de aproximadamente una década de trabajo, Schottky publicó, en 1938, su “teoría de capa barrera” negociando con la conducción en una unión metal-semiconductor.
En realidad, el efecto de las condiciones de la superficie sobre las propiedades de la“barrera Schottky” continua hasta la fecha siendo un área de estudio activo tanto teórica como experimentalmente.
El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado así en honor del físico alemán Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rápidas entre los estados de conducción directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeños de 5 mm de diámetro)y muy bajas tensiones umbral (también conocidas como tensiones de codo, aunque en inglés se refieren a ella como "knee", o sea, de rodilla).
La tensión de codo es la diferencia de potencial mínima necesaria para que el diodo actúe como conductor en lugar de circuito abierto; esto, claro, dejando de lado la región Zener, que es cuando más bien existe una diferencia de potencial lo suficientementenegativa para que -a pesar de estar polarizado en contra del flujo de corriente- éste opere de igual forma como lo haría regularmente.
PUNTO 2: Personajes que participaron en el descubrimiento.
En 1945 se creó un grupo de trabajo, compuesto por físicos teóricos y experimentales, un químico y un ingeniero electrónico, en los Bell Telephone Laboratories, Ciertamente los tubos presentan elevadastemperaturas de funcionamiento.
En 1947 los físicos John Bardeen, Walter Brattain y William Shockley obtuvieron un efecto de amplificación en un dispositivo compuesto por dos sondas de oro prensadas sobre un cristal de germanio (un semiconductor): nacía así el transistor, que actualmente es el elemento fundamental de todo dispositivo electrónico (en 1965 estos físicos recibieron el Premio Nobel.Más tarde, el primer ejemplar fue perfeccionado por Shockley con la introducción del transistor de unión, totalmente de material semiconductor, gracias a los progresos efectuados por los laboratorios Bell en la obtención de materiales de base (germanio y silicio) con un elevado grado de pureza.
La comercialización del transistor en 1951 sentó las bases para el desarrollo cualitativo y...
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