Diodo Tunnel Y Varactor

DIODO TUNEL
 INTRODUCCIÓN 
En 1958, el físico japonés Esaki, descubrió que los diodos semiconductoresobtenidos con un grado de contaminación del material básico mucho mas elevado que lohabitual exhiben una característica tensión-corriente muy particular. La corriente comienzapor aumentar de modo casi proporcional a la tensión aplicada hasta alcanzar un valormáximo, denominado corriente decresta. A partir de este punto, si se sigue aumentando latensión aplicada, la corriente comienza a disminuir y lo siga haciendo hasta alcanzar unmínimo, llamado corriente de valle, desde el cual de nuevo aumenta. El nuevo crecimientode la corriente es al principio lento, pero luego se hace cada vez mas rápido hasta llegar adestruir el diodo si no se lo limita de alguna manera. Este comportamientoparticular de losdiodos muy contaminados se debe a lo que los físicos denominan efecto túnel, del que nonos ocuparemos aquí debido a su complejidad. Para las aplicaciones prácticas del diodotúnel, la parte mas interesante de su curva característica es la comprendida entre la cresta yel valle. En esta parte de la curva a un aumento de la tensión aplicada corresponde unadisminución de la corriente; enotros términos, la relación entre un incremento de la tensióny el incremento resultante de la corriente es negativa y se dice entonces que esta parte de la
curva representa una “resistencia incremental negativa”. Una resistencia negativa puede
compensar total o parcialmente una resistencia positiva. Así, por ejemplo, las pérdidas quese producen en un circuito resonante a causa de la presenciasiempre inevitable de ciertaresistencia en el, se compensa asociando al circuito una resistencia negativa de valornumérico conveniente y realizada por ejemplo, mediante un diodo túnel. En tal caso elcircuito oscilante se transforma en un oscilador.
EFECTO TUNEL
El efecto túnel es un fenómeno nanoscópico por el que una partícula viola los principios de la mecánica penetrando una barrera potencial oimpedancia mayor quela energía cinética de la propia partícula. Una barrera, en términos cuánticos aplicados al efecto túnel, se trata de una cualidad del estado de la materia análogo a una “colina" o pendiente clásica, compuesta por crestas y flancos alternos, que sugiere que el camino más corto de un móvil entre dos o más flancos debe atravesar su correspondiente cresta intermedia si dicho objetono dispone de energía suficiente como para imponerse con la salvedad de atravesarlo escala cuántica, los objetos exhiben un comportamiento en la teoría cuántica, un cuanto moviéndose en dirección a una "colina" potencialmente energética puede ser descrito por su función que representa la amplitud probable que tiene la partícula de ser encontrada en la posición allende la estructura de la curva.Si esta función describe la posición de la partícula perteneciente al flanco adyacente al que supuso su punto de partida, existe cierta probabilidad de que se haya desplazado "a través" de la estructura, en vez de superarla por la ruta convencional que atraviesa la cima energética relativa. A esto se conoce como efecto túnel.
SÍMBOLO DEL DIODO TUNEL DESCRIPCIÓN DEL DIODO TUNEL
El Diodo túnel esun diodo semiconductor que tiene una unión pn, en la cual se produce el efecto túnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la característica corriente-tensión. La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilización como componente activo(amplificador /oscilador). Una característica importante del diodo túneles su resistencia negativa en undeterminado intervalo de voltajes de polarización directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente disminuye al aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo túnel puede funcionar como amplificador, como oscilador o como biestable. Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran microondas y que están relativamente libres de los efectos de la...