Diodo.

Diodo
El diodo de silicio está compuesto por una zona positiva con impurezas trivalentes (P) y otra negativa con impurezas pentavalentes (N) formando una unión PN que termina conduciendo corrienteen una sola dirección. La región positiva es así y tiene muchos huecos o portadores mayoritarios al haber menos electrones que protones, además de unos cuantos electrones libres generados por el calory la región negativa contiene muchos electrones libres y es así por tener más electrones que protones.
En la zona de unión PN se forma una zona minúscula llamada región de empobrecimiento causadapor la atracción de la zona P a la N y viceversa generándose una pequeña capa negativa en la zona P y una zona positiva en la zona N, esta se forma de manera rápida y es muy delgada.
En la región deempobrecimiento se genera un efecto llamado potencial de barrera que es causado por las leyes de coulomb que ocurre cuando dos o más cargas están a cierta distancia y por la barrera presente y laregión P y N se genera un campo eléctrico y para atravesarlo se necesita cierta energía expresada en Volts que típicamente será 0.7 V en el silicio y 0.3 V en el germanio a una temperatura de 25° C.También existen dos tipos de polarización para darle características específicas al modo de operar del diodo que son:
Directa: Se aplica una corriente continua limitada por una resistencia para no aplicarun valor que no dañe el diodo pero que el voltaje sea mayor al que opone el potencial de barrera. Esta polarización provocara que la región de empobrecimiento se estreche y produce una caída devoltaje igual al potencial de barrera.

Inversa: En esta se ubica el polo positivo de la pila en la región N y la negativa en la región P lo que provoca que una atracción aunque no haya corriente y porlo tanto se ensancha el potencial de barrera.





La corriente en inversa se puede despreciar al ser muy pequeña, pero a veces podemos llegar a un punto que se llama “punto de ruptura” y...