Diodos de Potencia

1. DEFINICIÓN.

El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, Figura 1), es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn (Figura 2). Está formado por tres terminales, llamados Ánodo, Cátodo y Puerta. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional (sentidode la corriente es único), conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.

4. CARACTERÍSTICAS GENERALES.

• Interruptor casi ideal.
• Soporta tensiones altas.
• Amplificador eficaz.
• Es capaz de controlar grandes potencias.
• Fácil controlabilidad.
• Relativa rapidez.
•Características en función de situaciones pasadas (memoria).


4.1 CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS.

Las características estáticas corresponden a la región ánodo - cátodo y son los valores máximos que colocan al elemento en límite de sus posibilidades:
- Tensión inversa de pico de trabajo .............................................: VRWM
- Tensión directa de picorepetitiva ...............................................: VDRM
- Tensión directa ...........................................................................: VT
- Corriente directa media ...............................................................: ITAV
- Corriente directa eficaz ................................................................: ITRMS
- Corriente directa de fugas............................................................: IDRM
- Corriente inversa de fugas ............................................................: IRRM
- Corriente de mantenimiento ..........................................................: IH
Las características térmicas a tener en cuenta al trabajar con tiristores son:
- Temperatura de la unión................................................................: Tj
- Temperatura de almacenamiento ...................................................: Tstg
- Resistencia térmica contenedor-disipador ......................................: Rc-d
- Resistencia térmica unión-contenedor ............................................: Rj-c
- Resistencia térmica unión-ambiente.................................................:Rj-a
- Impedancia térmica unión-contenedor.............................................: Zj-c


4.2 CARACTERÍSTICAS DE CONTROL.

Corresponden a la región puerta-cátodo y determinan las propiedades del circuito de mando que responde mejor a las condiciones de disparo. Los fabricantes definen las siguientes características:

-Tensión directa máx.....................................................................: VGFM
- Tensión inversa máx. ...................................................................: VGRM
- Corriente máxima..........................................................................: IGM
- Potencia máxima ..........................................................................: PGM
- Potencia media.............................................................................: PGAV
- Tensión puerta-cátodo para el encendido......................................: VGT
- Tensión residual máxima que no enciende ningún elemento.............: VGNT
- Corriente de puerta para el encendido ...........................................: IGT
- Corriente residual máxima que no enciende ningún elemento............:IGNT

Entre los anteriores destacan:
- VGT e IGT , que determinan las condiciones de encendido del dispositivo semiconductor.
- VGNT e IGNT, que dan los valores máximos de corriente y de tensión, para los cuales en condiciones normales de temperatura, los tiristores no corren el riesgo de dispararse de modo indeseado.

4.3 CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS....