Diodos De Potencia

DIODOS DE POTENCIA Indice * El diodo de potencia.Características estáticas * Parámetros en bloqueo. * Parámetros en conducción. * Modelos estáticos de diodo.Características dinámicas * Tiempo de recuperación inverso. * Influencia del trr en la conmutación. * Tiempo de recuperación directo.Disipación de potencia * Potencia máxima disipable (Pmáx). * Potencia media disipada (PAV).* Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM). * Potencia inversa de pico no repeptitiva (PRSM).Características térmicas * Temperatura de la unión (Tjmáx). * Temperatura de almacenamiento (Tstg). * Resistencia térmica unión-contenedor (Rjc). * Resistencia térmica contenedor-disipador (Rcd).Protección contra sobreintensidades * Principales causas de sobreintensidades. * Organos deprotección. * Parámetro I2t. El diodo de potencia |
Uno de los dispositivos más importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones : son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conducción. El único procedimiento de control es invertir el voltaje entre ánodo y cátodo.Los diodos depotencia se caracterizan porque en estado de conducción, deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión. En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña intensidad de fugas.
El diodo responde a la ecuación:
La curva característica será la que se puede ver en la parte superior, donde:VRRM: tensión inversamáxima 
VD: tensión de codo.A continuación vamos a ir viendo las características más importantes del diodo, las cuales podemos agrupar de la siguiente forma: * Características estáticas: * Parámetros en bloqueo (polarización inversa). * Parámetros en conducción. * Modelo estático. * Características dinámicas: * Tiempo de recuperación inverso (trr). * Influencia del trr enla conmutación. * Tiempo de recuperación directo. * Potencias: * Potencia máxima disipable. * Potencia media disipada. * Potencia inversa de pico repetitivo. * Potencia inversa de pico no repetitivo. * Características térmicas. * Protección contra sobreintensidades.Volver Características estáticas |

Parámetros en bloqueo * Tensión inversa de pico detrabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha. * Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada. * Tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o más. *Tensión de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las características del mismo. * Tensión inversa contínua (VR): es la tensión continua que soporta el diodo en estado de bloqueo.VolverParámetros en conducción * Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la máxima intensidad de impulsos sinusuidales de 180º que eldiodo puede soportar. * Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser soportada cada 20 ms , con una duración de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cápsula (normalmente 25º). * Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el máximo pico de intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duración de 10 ms. * Intensidad directa (IF): es la corriente quecircula por el diodo cuando se encuentra en el estado de conducción.VolverModelos estáticos del diodo
Los distintos modelos del diodo en su región directa (modelos estáticos) se representan en la figura superior. Estos modelos facilitan los cálculos a realizar, para lo cual debemos escoger el modelo adecuado según el nivel de precisión que necesitemos.Estos modelos se suelen emplear para...