diodos detectores de radiacion

Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación de la
corriente eléctrica a través de él en un solo sentido, los diodos están hechos de dos
semiconductores uno de tipo n y otro tipo p.
Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad eléctrica inferior a la de
un Conductor metálico pero superior a la de un buen aislante, la diferencia de unconductor a un semiconductor es el tamaño de la banda prohibida (gap), la cual es la
diferencia de energía entre la parte superior de la banda de valencia y la parte inferior de
la banda de conducción donde la banda de valencia es el nivel mas alto de los intervalos
de energía que se encuentra ocupado por electrones y la banda de conducción es el
intervalo de energías electrónicas que, estandopor encima de la banda de valencia,
permite a los electrones sufrir aceleraciones por la presencia de un campo eléctrico
externo y, por tanto, permite la presencia de corrientes eléctricas, para un aislante el
tamaño del gap de energía es de alrededor de 5ev, mientras que para un semiconductor
es del orden de 1eV.

A los semiconductores se le colocan pequeñas cantidades de materiales en unproceso que se denomina dopado
Un Semiconductor tipo N se obtiene a añadiendo un cierto tipo de átomos al
semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en
este caso negativos o electrones), Cuando se añade el material dopante aporta
sus electrones más débilmente vinculados a los átomos del semiconductor. Este
tipo de agente dopante es también conocido como materialdonante ya que da
algunos de sus electrones. La conductividad del semiconductor dopado es por lo
tanto

mucho

mayor

sobre su valor como un semiconductor intrínseco. La cantidad de aumento puede
ser controlado mediante la regulación de la cantidad de donante, que puede ser
tan poco como unas pocas partes por millón.
Un semiconductor tipo p se obtiene llevando a cabo un proceso dedopado,
añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el
número de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos). Cuando
se añade el material dopante libera los electrones más débilmente vinculados de

los átomos del semiconductor. Este agente dopante es también conocido como
material aceptor y los átomos del semiconductor que han perdido un electrón sonconocidos como huecos.
La conductividad en un semiconductor tipo n tiene lugar principalmente a través de
los electrones, mientras que en los semiconductores tipo p, son los huecos los que
contribuyen a ella. Los electrones son referidos como portadores minoritarios en
semiconductores tipo p y como mayoritario en los tipos n

Cuando se ponen en contacto un material de tipo-p con uno detipo-n, los
electrones del semiconductor de tipo-n pueden difundirse a través de la
unión en el semiconductor de tipo-p y combinarse con las vacantes. En las
proximidades de la unión p-n, los conductores de carga son neutralizados,
creando una región denominada zona de deplexión. La difusión de
electrones de la región tipo-n deja atrás estados ionizados donadores fijos,
mientras que en laregión tipo-p quedan estados aceptores fijos cargados
negativamente. Se crea por tanto un campo eléctrico que finalmente impide
que la difusión continúe. Se forma una unión p-n típica de un diodo.
Los semi conductores mas empleados son los hechos con germanio y silicio con
un dopante de arsénico o fosforo quedando como un diodo tipo n y si en vez se le
coloca un dopante de aluminio o boro seconvierte en un diodo tipo P.
Activo es aquel que necesita un sistema electrónico de lectura en
funcionamiento mientras es irradiado para obtener la señal. directo
Podemos detectar de forma directa a través de la ionización en el medio
material.

tipos de detectores según la unión:
Detectores de unión difusa su parte de silicio tipo P poco dopado (con
boro), y se deposita aluminio en una...