Diodos Schotty

Diodo Schottky


Comparacion:
El mecanismo de corriente en el diodo Schottky es diferente que en el caso de un diodo de juntura PN, y es debido al flujo de portadores mayoritarios. Muchosmetales pueden ser usados para crear barreras Schottky sobre semiconductores de silicio (Si) o arseniuro de galio (GaAs). Para GaAs los metales más usados son platino, titanio y oro.
A frecuencias bajas undiodo normal puede conmutar fácilmente cuando la polarización cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de conmutación puede llegar a ser muy alto, poniendo enpeligro el dispositivo.
El diodo Schottky es la solución ya que puede conmutar más rápido que un diodo normal. El diodo Schottky con polarización directa tiene 0,25 V de barrera de potencial frente alos 0,7 V de un diodo normal. Puede rectificar con facilidad a frecuencias superiores a 300 MHz. 

Descripción:
El diodo schottky es un dispositivo que tiene una caída de voltaje directa muypequeña, del orden de 0.3 Volts o menos. Opera a muy altas velocidades y se utilizan en fuentes de potencia, circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales. Reciben también el nombre de diodos derecuperación rápida.

Funcionamiento:
En estos diodos el platino actúa como material aceptador para los electrones cuando esta unido al silicio N y así los electrones del silicio se difunden inicialmenteen el metal, esta difusión hace que el material tipo N (silicio) se empobrezca de electrones cerca de la unión y por consiguiente que adquiera un potencial positivo que se caracteriza por la falta deelectrones. Cuando esta tensión llega a ser suficientemente alta, impide que los electrones se fluyan, y por otra parte cuando se aplica una tensión positiva suficientemente grande entre lasterminales, los electrones de la región n están sometidos a un potencial positivo en el lado del metal de la unión y surge una circulación de electrones.

Curva Caracteristica:
Suponiendo que en una...