Diodos

DIODOS

| Diodo rectificador * |
| | Diodo rectificador |
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| Diodo rectificador |
| | Diodo zener |
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| Diodo zener |
| | Diodo zener |
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| Diodo zener |
| | Diodo zener * |
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| Diodo varicap * |
| | Diodo varicap |
|
| Diodo varicap |
| | Diodo Gunn Impatt |
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| Diodo supresor
de tensión * |
| | Diodo supresor
de tensión ||
| Diodo de corriente
constante |
| | Diodo de recuperación
instantánea, Snap |
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| Diodo túnel * |
| | Diodo túnel |
|
| Diodo rectificador
túnel |
| | Diodo Schottky |
|
| Diodo Pin * |
| | Diodo Pin |
|
| Fotodiodo |
| | LED
Diodo emisor de luz |
|
| Fotodiodo
bidireccional NPN   |
| | Fotodiodo de dos
segmentos cátodo
comúnPNP |
|
| Fotodiodo de dos
segmentos cátodo
común PNP |
| | Diodo laser |
|
| Diodo magnético |
| | Diodo sensible a la
temperatura |
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ELECTRÓNICA DIGITAL

| Puerta AND |
| | Puerta NAND |
|
| Puerta OR |
| | Puerta  NOR |
|
| Puerta O
exclusiva |
| | Puerta Y
exclusiva |
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| Puerta
triestado |
| | Inversor |
|
|Diferencial |
| | Buffer |
|
| Driver |
| | Buffer negado |
|
| Báscula
R-S |
| | Buffer triestado |
|
| Báscula D |
| | Display 7
segmentos |
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| Báscula
J-K |
| | Display 16
segmentos
( alfanumérico ) |
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| Flip flop  T |
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SEMICONDUCTOR

Material sólido o líquido capaz de conducir la electricidad mejor que un aislante, pero peor queun metal. La conductividad eléctrica, que es la capacidad de conducir la corriente eléctrica cuando se aplica una diferencia de potencial, es una de las propiedades físicas más importantes. Ciertos metales, como el cobre, la plata y el aluminio son excelentes conductores. Por otro lado, ciertos aislantes como el diamante o el vidrio son muy malos conductores. A temperaturas muy bajas, lossemiconductores puros se comportan como aislantes. Sometidos a altas temperaturas, mezclados con impurezas o en presencia de luz, la conductividad de los semiconductores puede aumentar de forma espectacular y llegar a alcanzar niveles cercanos a los de los metales. Las propiedades de los semiconductores se estudian en la física del estado sólido.

ELECTRONES DE CONDUCCIÓN Y HUECOS

Entre lossemiconductores comunes se encuentran elementos químicos y compuestos, como el silicio, el germanio, el selenio, el arseniuro de galio, el seleniuro de cinc y el telururo de plomo. El incremento de la conductividad provocado por los cambios de temperatura, la luz o las impurezas se debe al aumento del número de electrones conductores que transportan la corriente eléctrica. En un semiconductorcaracterístico o puro como el silicio, los electrones de valencia (o electrones exteriores) de un átomo están emparejados y son compartidos por otros átomos para formar un enlace covalente que mantiene al cristal unido. Estos electrones de valencia no están libres para transportar corriente eléctrica. Para producir electrones de conducción, se utiliza la luz o la temperatura, que excita los electrones devalencia y provoca su liberación de los enlaces, de manera que pueden transmitir la corriente. Las deficiencias o huecos que quedan contribuyen al flujo de la electricidad (se dice que estos huecos transportan carga positiva). Éste es el origen físico del incremento de la conductividad eléctrica de los semiconductores a causa de la temperatura.

Dopar

Otro método para obtener electrones para eltransporte de electricidad consiste en añadir impurezas al semiconductor o doparlo. La diferencia del número de electrones de valencia entre el material dopante (tanto si acepta como si confiere electrones) y el material receptor hace que crezca el número de electrones de conducción negativos (tipo n) o positivos (tipo p). Este concepto se ilustra en el diagrama adjunto, que muestra un cristal de...