Diodos

ESTUDIO PREVIO:
RECTIFICADOR | CORRIENTE | VOLTAJE |
1N4001 | 1 Amperio | 50 V |
1N4002 | 1 Amperio | 100 V |
1N4003 | 1 Amperio | 200 V |
1N4004 | 1 Amperio | 400 V |
1N4005 | 1 Amperio| 600 V |
1N4006 | 1 Amperio | 800 V |
1N4007 | 1 Amperio | 1000 V |

A medida que aumenta el número del diodo aumenta su voltaje su corriente siempre se de 1A

OBSERVACIONES
* A medidaque aumenta el numero de la referencia de los diodos aumenta también el voltaje que soporta cada uno.
* La corriente para cada uno de las referencias es la misma 1 Amperio.
* Esta referenciapertenecen a los diodos rectificadores.

Parámetros de modelo SPICE de diodo

Is (Corriente de saturación o de escala): esta es directamente proporcional al área de sección transversal del diodo. Porlo tanto, duplicar el área de la unión resulta en un diodo que el doble del valor de Is y, como indica la ecuación del diodo, duplica el valor de la corriente I para un voltaje V dado.
N(Coeficiente de emisión): la constante n tiene un valor entre 1 y 2, dependiendo del material y la estructura física del diodo. Los diodos hechos empleando proceso de fabricación estándar de circuitos integradosexhiben n=1 cuando se operan en condiciones normales. Los diodos que hay comercialmente como componentes discretos de dos terminales suelen exhibir n=2.
Vzk (voltaje de ruptura): la regin de rupturase representa cuando la magnitud del voltaje inverso excede un valor de umbral especifico al diodo en particular. Este es un voltaje e la “rodilla” de la curva característica I-V.
Rs (resistenciaóhmica): Es la resistencia interna del diodo la cual a cualquier temperatura dentro de su rango de operación, mantiene una resistencia constante.
Vo (voltaje integral): depende tanto de lasconcentraciones de contaminación como de la temperatura. Típicamente, para silicio a temperatura ambiente, Vo está entre 0.6 y 0.8v.
Cjo (capacitancia de unión sin polarización):es el valor de la...