Diodos

b. Tiempo de recuperación inverso

El paso del estado de conducción al de bloqueo en el diodo no se efectúa instantáneamente. Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF, la zonacentral de la unión P-N está saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de éstos cuanto mayor sea IF. Si mediante la aplicación de una tensión inversa forzamos la anulación de la corrientecon cierta velocidad di/dt, resultará que después del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca ensentido contrario durante un instante. La tensión inversa entre ánodo y cátodo no se establece hasta después del tiempo ta llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear yaparece en la unión la zona de carga espacial. La intensidad todavía tarda un tiempo tb (llamado tiempo de caída) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras vandesapareciendo el exceso de portadores.
ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo.
tb (tiempo de caída): es eltiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que ésta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unión polarizada en inverso. En la práctica se suele medir desde el valorde pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de éste.
trr (tiempo de recuperación inversa): es la suma de ta y tb.

Qrr: se define como la carga eléctrica desplazada, y representa el áreanegativa de la característica de recuperación inversa del diodo.
di/dt: es el pico negativo de la intensidad.
Irr: es el pico negativo de la intensidad.
La relación entre tb/ta es conocida comofactor de suavizado "SF".
Si observamos la gráfica podemos considerar Qrr por el área de un triángulo :

De donde :

Para el cálculo de los parámetros IRRM y Qrr podemos suponer uno de los dos...