diodos

Dispositivos semiconductores de potencia.
Tema VII.
Interruptores
Lección 16

El diodo de potencia

16.1 Construcción y encapsulado

16.2 Características estáticas
16.2.1 Curvascaracterísticas
16.2.2 Estados de bloqueo y conducción

16.2.3 Cálculo de pérdidas
16.3 Características dinámicas
16.3.1 Salida de conducción: Recuperación inversa

16.3.2 Entrada en conducción:Recuperación directa
16.3.3 Cálculo de pérdidas

Lección 16. – El diodo de potencia.

16.4 Tipos de diodos de potencia
16.4.1 Diodos rectificadores para baja frecuencia
16.4.2 Diodos rápidos yultrarrápidos

16.4.3 Diodos Schotkky
16.4.4 Diodos para aplicaciones especiales
16.5 Uso de los datos de catálogo de fabricantes

Lección 16. – El diodo de potencia.

16.1 Construcción y encapsuladoCARACTERÍSTICAS DESEABLES:
- Corriente elevada con baja caída de tensión
- Tensión inversa elevada con mínimas fugas

COMPARACIÓN DE LOS DIODOS DE POTENCIA:
Tipo

Caída de
Temp.
Corrientetensión
interna
de fugas
directa (V)
máx. (ºC)

Tensión
inv ersa
máx. (V)

Intensidad
directa
máx. (A)

Densidad
de corriente
(A/cm2)

Mercurio

15 a 19

baj a

400

20.0005.000

4.000

Selenio

1

alta

150

50

50

1

0,5

baj a

120

800

200

100

1

muy baj a

200

3.500

1.000

100

0,6

alta

70

30

10

1Germanio
Silicio
Oxido de
cobre

Lección 16. – El diodo de potencia.

16.1 Construcción y encapsulado
ENCAPSULADOS
DO - 5

- Aislamiento
- Conexión Eléctrica
- Disipación térmicaTerminal de cobre
(ánodo)
Cierre aislante

Soldaduras
Au-Si

Cierre metálico
Base de cobre
(cátodo)

P
N

Pastilla
semiconductora

Lección 16. – El diodo de potencia.

16.1 Construcción yencapsulado
DO – 200AC

Grandes corrientes
(3500 – 5000 A)
Base de cobre
(ánodo)
Pastilla
semiconductora

Cierre metálico
Cierre cerámico
Soldaduras

Base de cobre
(cátodo)

P...