Diodos

TEMA: 2.5 FENÓMENOS DE RUPTURA 2.5.1 RUPTURA POR MULTIPLICACIÓN O AVALANCHA. 2.5.2 RUPTURA ZENER.

Polarización en inversa Si se aplica un potencial externo v volts a través de la unión p-n de talforma que la terminal positiva se conecte al material tipo n y la terminal negativa al material tipo p, el numero de iones descubiertos positivos en la región de agotamiento del material tipo n seincrementara debido al gran numero de electrones “libres” atraídos por el potencial positivo del voltaje aplicado. Por razones similares , el numero de iones descubiertos negativos se incrementara en elmaterial tipo p Polarización en inversa  Si polarizamos inversamente una unión p-n el efecto neto será un crecimiento del área de agotamiento lo que detendrá los portadores mayoritarios, haciendo aesta corriente cero  Sin embargo, los portadores minoritarios tienden a ir a la región de agotamiento creando así una pequeña corriente inversa .

Trasporte en campo muy intenso: fenómenos deruptura.  Cuando el campo eléctrico llega a ser extremadamente intenso (≥ 100 Kv/cm^-1), el semiconductor sufre una “ruptura” en la cual la corriente exhibe un comportamiento “desbocado” o “galopante”. La ruptura ocurre debido a la multiplicación de portadores que surgen de las dos fuentes que se discuten a continuación.  Por multiplicación de portadores queremos decir que el número de electrones yhuecos que pueden participar en el flujo de corriente se incrementa.  Por supuesto el número total de electrones se conserva siempre.

FENOMENO DE RUPTURA POR AVALANCHA
Los diodos admiten unosvalores máximos en las tensiones que se les aplican, existe un límite para la tensión máxima en inversa con que se puede polarizar un diodo sin correr el riesgo de destruirlo. Veamos un ejemplo:

Ala tensión en la que la IR aumenta de repente, se le llama "Tensión de Ruptura" (VRuptura). A partir de este valor IR es muy grande y el diodo se estropea. En el diodo ha ocurrido el "Efecto...