diodos

+ En el proceso de dopaje la peridodicidad de la estructura no cambia en forma significativa con la adicion de impurezas en el proceso de dopado.
+ Las características eléctricas del material sepueden afectar
+ El atomo se compone de tres partículas básicas Electron Proton y Neutron los neutrones y protones forman el nucleo los electrones se mueven alrededor del nucleo
GERMANIO: 32Electrones en orbita
SILICIO : 14 Electrones en varias orbitas
+ En cada caso existen 4 electrones en su orbita exterior (electrones de valencia) Tanto el germanio como sislicio son referidos comoatomos tetravalentes porque cada uno tiene 4 electrons de valencia.
+ La unión de atomos fortalecida por el comportamiento de los electrones se denomina unión covalente
+Materiales intrínsecos: sonaquellos semiconductores que han sido cuidadosamente refinados para reducir las impurezas a un nivel muy bajo escencialmente tan puro como se puede obtener a través de tecnología moderna. (SIN DOPAJE)+A temperatura ambiente existen aproximadamente 1.5*1010 portadores libres en 1 CM3 de material intrínseco de Silicio.
+A temperatura ambiente existen aproximadamente 2.5*1013 portadores libresen 1 CM3 de material intrínseco de Silicio.
+La diferencia del germanio respecto al silicio es mayor de 103 indica que el germanio es un mejor conductor a temperatura ambiente. Esto puede sercierto aunque en el estado intrínseco ambos son considerados conductores pobres.
+Un incremento en la temperatura de un semiconductor puede generar unincremento sustancial en el numero de electroneslibres del material
+Los materiales semiconductores como el germanio y el silicio que muestran una reducción de la resistencia con el incremento en la temperatura tienen un coeficiente de temperaturacero.
RECUERDE que la resistencia de casi todos los materiales conductores se incrementa con la temperatura.
NIVELES DE ENERGIA mientras mas distante se encuentre el electron del nucleo mayor es el...