diodos

EXPERIMENTO Nº1
El Diodo Rectificador

I. OBJETIVOS

Utilizar características de operación de los diodos semiconductores.

II. MATERIALES Y EQUIPOS:

Una fuente de corriente continua variable.
Un Multímetro.
Un Miliamperímetro y un Microamperímetro.
Un diodo semiconductor de SI y GE.
Un Voltímetro de C.C.
Resistencia de 100Ω
Cables y conectores.

III. FUNDAMENTO TEÓRICO
Undiodo es un elemento de dos terminales cuya característica tensión-corriente no es lineal. Está formado por un cristal semiconductor dopado de tal manera que una mitad es tipo "p" y la otra "n", constituyendo una unión “p - n”. La terminal que corresponde con la parte "p" se llama ánodo y el que coincide con la "n" es el cátodo. Este diodo está compuesto por un cristal de silicio o de germanio dopado,es decir, al que se le han incluido impurezas. El dopado del silicio (o del germanio) se realiza para variar sus propiedades de semiconductor.
El diodo deja circular corriente a través suyo cuando se conecta el polo positivo de la batería al ánodo, y el negativo al cátodo, y se opone al paso de la misma si se realiza la conexión opuesta. Esta interesante propiedad puede utilizarse para realizarla conversión de corriente alterna en continua, a este procedimiento se le denomina rectificación.
En resumen, son aplicables las condiciones que se describen en la figura 1.2.











El diodo semiconductor está constituido fundamentalmente por una unión P-N, añadiéndole un terminal de conexión a cada uno de los contactos metálicos de sus extremos y una cápsula que aloja todo elconjunto, dejando al exterior los terminales que corresponden al ánodo (zona P) y al cátodo (Zona N)

PRUEBA ESTÁTICA PARA UN DIODO SEMICONDUCTOR
La resistencia del diodo en polarización directa debe ser muy baja comprada con el nivel de polarización inversa. Mientras más alta sea la corriente, menor será el nivel de resistencia. Para la situación de polarización inversa la lectura debe serbastante alta.




NOTA:
Una alta lectura en la resistencia en ambas direcciones indica con claridad una condición abierta (dispositivo defectuoso), mientras que una lectura muy baja de la resistencia en ambas direcciones quizá indique un dispositivo en corto.

REGIÓN ZENER

Existe un punto en el cual la aplicación de un voltaje demasiado negativo dará por resultado un agudo cambio en lascaracterísticas, como lo muestra la figura 1.22. La corriente se incrementa a una velocidad muy rápida en una dirección opuesta a aquella de la región de voltaje positivo.

El potencial de polarización inversa que da como resultado este cambio muy drástico de las características se le llama potencial Zener y se le da el símbolo Vz.

La región de avalancha (Vz) se puede acercar al eje verticalal incrementar los niveles de: dopado en los materiales tipo p y tipo n. Sin embargo, mientras Vz disminuye a niveles muy bajos, como -5 V, otro mecanismo llamado ruptura Zener contribuirá con un cambio agudo ella característica. Este cambio rápido en la característica a cualquier nivel se denomina región Zener, y los diodos que utilizan esta porción única de la característica de una unión p-n sonlos diodos Zener. La región Zener del diodo semiconductor descrito se debe evitar si la respuesta de un sistema no debe ser alterada completamente por el severo cambio en las características de esta región de voltaje inverso.
El máximo potencial de polarización inversa que puede ser aplicado antes de entrar ala región Zener se conoce como voltaje pico inverso (referido simplemente como el valorPIV, por las iniciales en inglés de: PeakInverseVoltage) o PRV, por las iniciales en inglés de: Peak Reverse Voltage).

IV. PROCEDIMIENTO:

1. Usando el ohmímetro, medir las resistencias directas en inversas del diodo de silicio. Registrar los datos en la tabla 1.
2. Armar el circuito de la figura 1.
a. Ajustando el voltaje con el potenciómetro, observar y medir la corriente y el voltaje...