diodos

INSTITUTO TECNOLOGICO DE VERACRUZ

CARRERA: INGENIERIA ELECTRÒNICA

MATERIA: LABORATORIO DE FISICA DE SEMICONDUCTORES

CATEDRATICO: AGUILAR HAAZ JORGE PABLO

TEMA: PRACTICA NUM. 2 CURVA CARACTERISTICA Y APLICACIÓN DE DIODOS PN

NOMBRE DE ALUMNOS: HERNANDEZ MALPICA EMMANUEL TADEO
SALAS GARCIA TOMAS
UGLADE FRANCO JUAN MANUEL
MENDOZA NEGRETE JESUS CRISTOBAL

HORARIO: 9:00AM – 10:00AMPERIODO: AGO – DIC 2014

PRACTICA
2

CURVA CARACTERISTICA V – I Y APLICACIONES DE DIODOS PN

OBJETIVO: El alumno debe obtener la curva característica V - I punto a punto de un diodo PN, medir las variables eléctricas
(I y V) en circuitos básicos de aplicación utilizando diodos semiconductores PN. Así como aprender a resolver circuitos de
uno o varios diodos mediante simulación, tantopara una señal de entrada variable como constante.
INTRODUCCIÓN: esta práctica la llevaremos a cabo con la finalidad de sacar la curva característica de un diodo de silicio
y de germanio, la cual es sacada de la grafica de la comparación del voltaje y la intensidad, el voltaje se planta en el eje “y”
y la intensidad en el eje “x”. También se realizara los diagramas dados en la ´practicafísicamente, los cuales serán
analizados con el osciloscopio, y el multimetro.
CORRELACIÓN CON EL TEMA O SUBTEMA DEL PROGRAMA: Relacione la practica con el tema o subtema visto en

clase.
Tabla de Componentes y aparatos de medición empleados en la práctica
Cantidad
3
2
2
1
1
1
1
1
3

COMPONENTES Y APARATOS DE LA PRACTICA
Material para practica
Equipo de Medición
Diodos 1N4001 oEquivalente de silicio
Milímetro
Diodos de Germanio
Osciloscopio
Resistencias 1.2 KΩ
Fuente de Alimentación 0 –
20V
Resistencia 1KΩ
Generador de Señales
Resistencia 470 Ω
Puntas atenuadas para
Osciloscopio
Resistencia 220 Ω
Bolsa de Caimanes
Protoboard
Hojas de papel Cuadriculado.

DESARROLLO DE LA METODOLOGÍA:
1.- Comprobación de componentes: Con la ayuda de un multímetro verifique quelos diodos se encuentran en
buen estado y que la resistencia a utilizar sea del valor adecuado.

2.- Construya el circuito básico todos los aparatos de medición requeridos para obtener la curva característica punto a
punto del diodo de silicio y después cambie el diodo de Germanio por el de silicio.

TABLA DE VALORES DEL DIODO DE SILICIO
VOLTAJE
APLICADO
FUENTE ( VDC )

VOLTAJE A
TRAVÈSDEL
DIODO ( VD )

CORRIENTE POR
EL DIODO (Idc)

RESISTENCIA DEL
DIODO (Rcd)

2
4
6
8
10
12
14
16
18
20

0.6v
0.6v
0.6v
|0.67v
0.68v
0.7v
0.7v
0.7v
0.7v
0.7v

1.4mA
3.36mA
5.334mA
7.33mA
9.32mA
11.3mA
13.3mA
15.3mA
17.3mA
19.3mA

478.571Ω
178.571 Ω
112.359 Ω
91.405 Ω
72.961 Ω
61.946 Ω
52.631 Ω
45.75 Ω
40.462 Ω
36.269 Ω

ECUACIÒNES

R= VD
IDCTABLA DE VALORES DE LOS DIODOS DE GERMANIO

3.-

VOLTAJE
APLICADO
FUENTE ( VDC )

VOLTAJE A
TRAVÈS DEL
DIODO ( VD )

CORRIENTE POR
EL DIODO (Idc)

RESISTENCIA DEL
DIODO (Rcd)

2
4
6
8
10
12
14
16
18
20

0.3v
0.3v
0.3v
0.3v
0.4v
0.4v
0.4v
0.4v
0.42v
0.43v

1.13mA
3.30mA
5.27mA
7.26mA
9.25mA
11.2mA
13.2mA
15.2mA
17.2mA
19.2mA

461.538 Ω
213.121Ω
138.519 Ω
101.928 Ω
81.081 Ω
67.857 Ω
57.575 Ω
50.657 Ω
45.348 Ω
40.625 Ω

ECUACIÒNES

R= VD
IDC

Determine el Voltaje de umbral (disparo) de los diodos empleados y muéstrelos en la tabla 1.
4.- Obtenga las mediciones de corriente, voltaje y resistencia de los diodos indicadas en la tabla 1.
5.- Grafique las curvas características V- I de acuerdo a los valores indicados en latabla1:

A) Para el silicio (color rojo),

IGrafica
mA diodo silicio
0.018
0.016
0.014
0.012
0.01
0.008
0.006
0.004
0.002
0
-0.002 0

0.2

0.4

0.6

0.8

B) Para el germanio (color Negro)

I mA
0.02
0.015
0.01
Valores Y
0.005
0
0
-0.005

0.2

0.4

0.6

0.8

6.- En una sola hoja grafique las dos curvas (Si y Ge) a colores y explique la diferencia...