Diodos
Páginas: 9 (2063 palabras)
Publicado: 18 de noviembre de 2014
Conductividad Intrínseca.
1. Los fabricantes de diodos semiconductores entregan una hoja de datos por cada nomenclatura de diodo fabricado. La misma contiene 3 tipos de información. Describir los datos contenidos y su utilización durante el diseño electrónico.
2. La cantidad de tipos de diodos fabricados es extremadamente grande. Explicar someramente los tipos existentes, su aplicación y lastécnicas de fabricación.
3. Indicar los tipos de diodos especiales existentes y su aplicación. Dibujar simbología.
4. Dado un trozo de semiconductor de Ge, se los somete a la Tº 0º absoluto (-273 ºC). Explicar que sucede con los átomos y electrones en la malla cristalina.
5. Que es la Movilidad intrínseca térmica de los átomos, que efectos produce sobre las uniones cristalinas?
6. Describirla formación de un “hueco” o “electrón de defecto”.
7. Explicar los mecanismos de generación y recombinación.
8. Diferenciar el comportamiento de materiales conductores y semiconductores en ocasión de un aumento de la temperatura. Como varía la conductividad/resistividad en c/u de ellos. Graficar. (Si Ge Cu).
9. Analizar la fig. 1-10 del texto. Interpretar el gráfico y dibujarlo expresando losvalore de temperaturas en ºK y ºC..
10. Cuando se aplica una tensión al cristal semiconductor, se forma un CE. Explicar el desplazamiento de electrones y huecos dentro del cristal bajo la influencia del ese CE.
11. Que es la conductividad intrínseca.
12. En la Fig. 1-11 del texto se aprecia que las cargas se mueven en forma ordenada, sabiendo que la energía térmica provoca movimiento aleatoriodelas mismas, se pregunta ¿Qué es lo causa el orden observado?
13. Indicar que es lo que causa que el canal de huecos presenta mayor resistividad específica que el canal de electrones.
Semiconductores Dopados.
Conductividad Extrínseca.
14. Que es y cual cambio produce el dopaje?
15. Porque los distintos átomos utilizados para dopar materiales semiconductores se llaman “donantes” y“aceptores”.
16. Definir la Conductividad Extrínseca.
17. Indicar el grado de dopaje óptimo, porque debe ser así?
Tipo N y tipo P
18. Explicar el mecanismo de conducción de los semiconductores tipo N.
19. Explicar el mecanismo de conducción de los semiconductores tipo P.
20. En ambos casos dibujar la estructura cristalina y señalar el mecanismo de conducción.
Juntura PN
21. - Explicar elproceso de producción de una juntura PN (Difusión).
22. - Describir la juntura PN sin tensión aplicada.
23. - Describir la Juntura PN con polarización directa.
24. - Describir la Juntura PN con polarización inversa.
Respuestas:
1. Los fabricantes de diodos semiconductores entregan una hoja de datos por cada nomenclatura de diodo fabricado, la cual incluye los valorescaracterísticos y los valores límites más importantes, junto con varias curvas características. Los datos típicos o nominales son datos con los cuales el diodo debe operar en servicio normal
2. Existen diodos semiconductores para corrientes de poco mA que funcionarían muy bien en frecuencia muy altas. También se fabrican diodos de potencia para corrientes de varios mA. La tecnología y los procesos deconstrucción de diodos también varían mucho. Los diodos de juntura son utilizados para circuitos rectificadores de baja frecuencia. Los diodos en la actualidad son producidos por medio de la técnica planar y puede ser utilizados en circuitos rectificadores y en circuitos de impulsos.
3. Con un grado de pureza de 10¹º, los átomos de germanio o de silicio forman una malla cristalina en dondetodos los electrones de valencia de los átomos semiconductores son necesarios para la formación de esta estructura. Si la estructura de la malla cristalina se encuentra en el punto cero absoluto 0 K (kelvin) = -273°C , entonces todos los átomos están en reposo y los electrones de valencia participantes en la unión cristalina están fuertemente enlazados con los átomos vecinos.
4. Sucede que los...
Conductividad Intrínseca.
1. Los fabricantes de diodos semiconductores entregan una hoja de datos por cada nomenclatura de diodo fabricado. La misma contiene 3 tipos de información. Describir los datos contenidos y su utilización durante el diseño electrónico.
2. La cantidad de tipos de diodos fabricados es extremadamente grande. Explicar someramente los tipos existentes, su aplicación y lastécnicas de fabricación.
3. Indicar los tipos de diodos especiales existentes y su aplicación. Dibujar simbología.
4. Dado un trozo de semiconductor de Ge, se los somete a la Tº 0º absoluto (-273 ºC). Explicar que sucede con los átomos y electrones en la malla cristalina.
5. Que es la Movilidad intrínseca térmica de los átomos, que efectos produce sobre las uniones cristalinas?
6. Describirla formación de un “hueco” o “electrón de defecto”.
7. Explicar los mecanismos de generación y recombinación.
8. Diferenciar el comportamiento de materiales conductores y semiconductores en ocasión de un aumento de la temperatura. Como varía la conductividad/resistividad en c/u de ellos. Graficar. (Si Ge Cu).
9. Analizar la fig. 1-10 del texto. Interpretar el gráfico y dibujarlo expresando losvalore de temperaturas en ºK y ºC..
10. Cuando se aplica una tensión al cristal semiconductor, se forma un CE. Explicar el desplazamiento de electrones y huecos dentro del cristal bajo la influencia del ese CE.
11. Que es la conductividad intrínseca.
12. En la Fig. 1-11 del texto se aprecia que las cargas se mueven en forma ordenada, sabiendo que la energía térmica provoca movimiento aleatoriodelas mismas, se pregunta ¿Qué es lo causa el orden observado?
13. Indicar que es lo que causa que el canal de huecos presenta mayor resistividad específica que el canal de electrones.
Semiconductores Dopados.
Conductividad Extrínseca.
14. Que es y cual cambio produce el dopaje?
15. Porque los distintos átomos utilizados para dopar materiales semiconductores se llaman “donantes” y“aceptores”.
16. Definir la Conductividad Extrínseca.
17. Indicar el grado de dopaje óptimo, porque debe ser así?
Tipo N y tipo P
18. Explicar el mecanismo de conducción de los semiconductores tipo N.
19. Explicar el mecanismo de conducción de los semiconductores tipo P.
20. En ambos casos dibujar la estructura cristalina y señalar el mecanismo de conducción.
Juntura PN
21. - Explicar elproceso de producción de una juntura PN (Difusión).
22. - Describir la juntura PN sin tensión aplicada.
23. - Describir la Juntura PN con polarización directa.
24. - Describir la Juntura PN con polarización inversa.
Respuestas:
1. Los fabricantes de diodos semiconductores entregan una hoja de datos por cada nomenclatura de diodo fabricado, la cual incluye los valorescaracterísticos y los valores límites más importantes, junto con varias curvas características. Los datos típicos o nominales son datos con los cuales el diodo debe operar en servicio normal
2. Existen diodos semiconductores para corrientes de poco mA que funcionarían muy bien en frecuencia muy altas. También se fabrican diodos de potencia para corrientes de varios mA. La tecnología y los procesos deconstrucción de diodos también varían mucho. Los diodos de juntura son utilizados para circuitos rectificadores de baja frecuencia. Los diodos en la actualidad son producidos por medio de la técnica planar y puede ser utilizados en circuitos rectificadores y en circuitos de impulsos.
3. Con un grado de pureza de 10¹º, los átomos de germanio o de silicio forman una malla cristalina en dondetodos los electrones de valencia de los átomos semiconductores son necesarios para la formación de esta estructura. Si la estructura de la malla cristalina se encuentra en el punto cero absoluto 0 K (kelvin) = -273°C , entonces todos los átomos están en reposo y los electrones de valencia participantes en la unión cristalina están fuertemente enlazados con los átomos vecinos.
4. Sucede que los...
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