Diodos
Páginas: 6 (1347 palabras)
Publicado: 19 de diciembre de 2012
“FISICA ELECTRÓNICA”
APUNTE PARA EL ALUMNO:
“DIODOS SEMICONDUCTORES”
PROFESOR:
ALEJANDRO INDA RODRÍGUEZ.
2011
DIODOS SEMICONDUCTORES:
Característica general del diodo semiconductor
En la característica general del diodo de silicio, mostrada en la Figura 1, se observa que la escala vertical (I) estáen miliamperes (aunque en algunos puede estar en amperes) y la escala horizontal en la región de polarización directa (V) tiene un máximo de 1 volt. Por lo tanto en general el voltaje a través de un diodo polarizado en forma directa será menos de 1 volt. Observe también la rapidez con que se incrementa la corriente después del punto de inflexión de la curva de repuesta.
Empleando la físicade estado sólido, se puede demostrar que las características generales de un diodo semiconductor se pueden definir mediante la ecuación 1, para las regiones de polarización directa e inversa.
[pic]
Fig 1: Curva Diodo Rectificador.
Donde:
IS = corriente de saturación inversa
K = 11.600 / ( ; con ( = 1 para Ge y ( = 2 para el Si
TK = TC + 273º temperatura engrados Kelvin
Terminales de los diodos
La simbología que más suele utilizarse para diodos semiconductores se presenta en la Figura 2. Para la mayor parte de los diodos, cualquier marca, punto, banda o símbolo, aparece indicando el extremo del cátodo. La terminología ánodo y cátodo es una herencia de la notación de las válvulas. El ánodo se refiere a un potencial mayor o positivo y elcátodo se refiere a un terminal con potencial más bajo o negativo. Estas combinaciones de niveles de polarización dará por resultado una condición de polarización directa o “encendido” para el diodo.
Si el diodo semiconductor está polarizado directo la resistencia entre sus terminales será baja, sin embargo si el diodo se polariza en forma inversa su resistencia será muy altaPrueba de diodos con un tester en función diodo (V):
La tensión directa para un diodo semiconductor es bastante baja comparada con el nivel de polarización inversa.
Por lo tanto, si se mide la tensión directa o tensión de umbral de un diodo utilizando las conexiones que se señalan en la Figura 3a se puede esperar un nivelrelativamente bajo (0,54 V, 0,65 V, 0,78 V.)
La indicación resultante en el instrumento será una función de la corriente establecida por la batería interna que circula a través del diodo y provoca en este una caída de tensión valor que mide el instrumento.
Para la situación de polarización inversa la lectura debe ser bastante alta, es decir casi infinita, o el valor de la batería interna, segúnse indica en la Figura 3b.
Una lectura alta en volts en ambas direcciones indica con claridad una condición abierta (dispositivo defectuoso), mientras que una lectura muy baja de tensión casi cero, en ambas direcciones quizás indique un dispositivo en cortocircuito.
TIPOS DE DIODOS
Existen varios dispositivos de dos terminales que tienen una sola unión p-n pertenecientes a lafamilia de los diodos y que tienen diferentes modos de operación, características y áreas de aplicación.
Diodos Zener
El potencial zener (VZ) de 1000 V para los diodos semiconductores de Si y de 400 V para los diodos semiconductores de Ge, puede acercarse al eje vertical (ID), al incrementar los niveles de dopado en los materiales tipo n y tipo p.
Este incremento produce un aumento en elnúmero de impurezas agregadas, logrando así que disminuya el potencial zener (VZ) a niveles muy bajos, como por ejemplo un voltaje de –5 V.
Los diodos que utilizan esta porción única de la característica de polarización inversa de la unión p-n son los diodos zener, ( Figura 4)
Aspecto físico del diodo zener
El diodo zener es un diodo que bajo condiciones...
APUNTE PARA EL ALUMNO:
“DIODOS SEMICONDUCTORES”
PROFESOR:
ALEJANDRO INDA RODRÍGUEZ.
2011
DIODOS SEMICONDUCTORES:
Característica general del diodo semiconductor
En la característica general del diodo de silicio, mostrada en la Figura 1, se observa que la escala vertical (I) estáen miliamperes (aunque en algunos puede estar en amperes) y la escala horizontal en la región de polarización directa (V) tiene un máximo de 1 volt. Por lo tanto en general el voltaje a través de un diodo polarizado en forma directa será menos de 1 volt. Observe también la rapidez con que se incrementa la corriente después del punto de inflexión de la curva de repuesta.
Empleando la físicade estado sólido, se puede demostrar que las características generales de un diodo semiconductor se pueden definir mediante la ecuación 1, para las regiones de polarización directa e inversa.
[pic]
Fig 1: Curva Diodo Rectificador.
Donde:
IS = corriente de saturación inversa
K = 11.600 / ( ; con ( = 1 para Ge y ( = 2 para el Si
TK = TC + 273º temperatura engrados Kelvin
Terminales de los diodos
La simbología que más suele utilizarse para diodos semiconductores se presenta en la Figura 2. Para la mayor parte de los diodos, cualquier marca, punto, banda o símbolo, aparece indicando el extremo del cátodo. La terminología ánodo y cátodo es una herencia de la notación de las válvulas. El ánodo se refiere a un potencial mayor o positivo y elcátodo se refiere a un terminal con potencial más bajo o negativo. Estas combinaciones de niveles de polarización dará por resultado una condición de polarización directa o “encendido” para el diodo.
Si el diodo semiconductor está polarizado directo la resistencia entre sus terminales será baja, sin embargo si el diodo se polariza en forma inversa su resistencia será muy altaPrueba de diodos con un tester en función diodo (V):
La tensión directa para un diodo semiconductor es bastante baja comparada con el nivel de polarización inversa.
Por lo tanto, si se mide la tensión directa o tensión de umbral de un diodo utilizando las conexiones que se señalan en la Figura 3a se puede esperar un nivelrelativamente bajo (0,54 V, 0,65 V, 0,78 V.)
La indicación resultante en el instrumento será una función de la corriente establecida por la batería interna que circula a través del diodo y provoca en este una caída de tensión valor que mide el instrumento.
Para la situación de polarización inversa la lectura debe ser bastante alta, es decir casi infinita, o el valor de la batería interna, segúnse indica en la Figura 3b.
Una lectura alta en volts en ambas direcciones indica con claridad una condición abierta (dispositivo defectuoso), mientras que una lectura muy baja de tensión casi cero, en ambas direcciones quizás indique un dispositivo en cortocircuito.
TIPOS DE DIODOS
Existen varios dispositivos de dos terminales que tienen una sola unión p-n pertenecientes a lafamilia de los diodos y que tienen diferentes modos de operación, características y áreas de aplicación.
Diodos Zener
El potencial zener (VZ) de 1000 V para los diodos semiconductores de Si y de 400 V para los diodos semiconductores de Ge, puede acercarse al eje vertical (ID), al incrementar los niveles de dopado en los materiales tipo n y tipo p.
Este incremento produce un aumento en elnúmero de impurezas agregadas, logrando así que disminuya el potencial zener (VZ) a niveles muy bajos, como por ejemplo un voltaje de –5 V.
Los diodos que utilizan esta porción única de la característica de polarización inversa de la unión p-n son los diodos zener, ( Figura 4)
Aspecto físico del diodo zener
El diodo zener es un diodo que bajo condiciones...
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