Diodos

1.- Montaje de circuitos analógicos básicos.
1.1.- Componentes activos.
Su característica fundamental es que los componentes activos tienen un comportamiento no lineal, o sea, la relación entre la tensión aplicada y la corriente demandada no es lineal.
1.2.- Semiconductores.
En general se puede decir que más de cuatro electrones de valencia en la órbita exterior convierte al material es unbuen aislante, mientras que menos de cuatro electrones hace que el material sea bastante buen conductor.
Para transformar el silicio puro o el germanio en material conductor hay que añadir impurezas, es decir átomos de elementos diferentes es lo que se llama como proceso de adulteración o dopaje. Por ejemplo, si adulteramos el silicio introduciendo arsénico que tiene cinco electrones de valenciasolo cuatro electrones del mismo pueden unirse a los electrones de los átomos de silicio de alrededor, quedando un electrón libre que puede conducir el flujo de la corriente, este proceso se llama dopaje tipo N, la N es por el exceso de electrones o carga Negativa.
Ahora bien, si adulteramos el silicio con átomos de un materia con solo tres electrones de valencia por ejemplo el galio, lo quesucederá es que habrá un espacio vacante dado que solo se pueden asociar tres electrones con los cuatro del silicio, está vacante se llama hueco o laguna de electrón. Los huecos pueden desplazarse a través de la materia igual que los electrones libres, así que el silicio adulterado de esta manera puede conducir también un poco de corriente, el resultado de este proceso se llama silicio de tipo P(Dopaje tipo P), la P es de positivo por el exceso de hueco con carga positiva en el material.
1.3.- Unión PN.

Los semiconductores de tipo P y tipo N no tienen demasiada utilidad de forma separada, sin embargo la combinación de ambos en un cristal en el que la mitad del mismo sea una de cada tipo determina la llamada unión PN.
Como acabas de ver en el lado del cristal P hay más huecos queelectrones libres, mientras que en el lado N ocurre exactamente lo contrario. Entre ambas zonas se forma una barrera de potencial lo que provoca que para que un electrón logre pasar de una zona a otra es preciso superar dicha barrera, para ello, hay que aplicar a los extremos de la unión una tensión eléctrica mínima que varía según el elemento utilizado, por ejemplo para el silicio se requiere unmínimo de 0,7V, el germanio tiene una tensión umbral de 0,2V.
La unión PN se puede polarizar en directa o en inversa. La polarización en directa se consigue con la aplicación de una tensión positiva al material tipo P y negativa al material tipo N, (mínimo de 0,7V para el silicio). En inversa se consigue el efecto contrario, la barrera de potencial se hace más ancha e impide el paso de la corrienteeléctrica.
Polarización de la unión PN.
1.4.- Diodos.
Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación de la corriente eléctrica a través de él en un sentido.
La parte del semiconductor tipo N tiene electrones libres (es decir, exceso de electrones) la parte del semiconductor tipo P por su parte cuenta con huecos libres (falta de electrones en los enlaces).Cuando una tensión positiva se aplica al lado P y una negativa al lado N los electrones son empujados del lado N al lado P, fluyendo por éste último lado a través del material más allá de los límites del propio semiconductor. De igual manera, recuerda que los huecos son empujados al lado del material N. En el caso opuesto, cuando una tensión positiva se aplica al lado N y una negativa al lado P,los electrones en el lado N son empujados al lado N y los huecos del lado P son empujados al lado P. En este caso los electrones en el semiconductor no se mueven y en consecuencia no hay corriente.


Los diodos se utilizan para múltiples aplicaciones, entre las que destacan la protección de circuitos y los circuitos de conmutación por su capacidad para limitar la corriente eléctrica en un...