Diodos

El diodo ideal: 
si esta polarizado directamente (+(ánodo) con + y - (cátodo) con -) deja pasar la corriente y es como si fuera un interruptor cerrado. 
si esta polarizado inversamente no deja pasar la corriente y es como si fuera un interruptor abierto. 

El diodo real: (además de las características anteriores) 
tiene una pequeña caída de voltaje en polarización directa, además de quedependiendo de las características del diodo tiene ciertas limitantes como la corriente máxima y el voltaje inverso máximo que de ser mayores pueden dañar el componente entre otras características. 

El diodo de silicio es el más utilizado debido a su bajo costo en comparación al de germanio. 

Otra diferencia muy importante es que el de silicio tiene una caída de voltaje de aproximadamente 0.7Volts y elde germanio de aprox 0.3Volts
2.3 El diodo ideal
Para facilitar la exposición del diodo empezamos presentando una aproximación al dispositivo real que llamaremos diodo ideal. El diodo ideal es un elemento de circuito de dos terminales cuyosímbolo y característica i-v mostramos en la Figura 2.1. Uno de los terminales se denomina ánodo (positivo) y el otro cátodo (negativo). Si la caída de tensiónes nula diremos que el diodo ideal está polarizado en directa. Bajopolarización directa la corriente fluye en el sentido ánodo-cátodo y puede tomar cualquier valor positivo. De modo que en esta región de operación el diodo ideal es equivalente a un cortocircuito. Si la caída de tensión entre el ánodo y el cátodo es negativa el diodo ideal opera en su región inversa de funcionamiento. Observamosen la Figura 2.1 que la corriente es nula para cualquier valor negativo de la tensión y el dispositivo equivale a un circuito abierto. Esta propiedad de permitir el paso de la corriente en un sentido e impedirlo en el sentido contrario la llamamos rectificación.
2.4 El diodo real
El funcionamiento del diodo ideal se aproxima al de un dispositivo electrónico llamado diodo real que está fabricado conun material semiconductor como silicio, germanio, arseniuro de galio u otros.
Las propiedades físicas de los semiconductores son distintas a las de los conductores y a las de los aislantes. Así, por ejemplo, el silicio puro conduce a temperatura ambiente pero a medida que se enfría va dejando de hacerlo. Es más, en las proximidades del cero absoluto de temperaturas (0K), no conduce. La granventaja de este tipo de materiales es que podemos introducir en ellos algunas impurezas, en una cantidad precisa, y modificar algunas de sus propiedades. De hecho, determinadas impurezas hacen que aumente el número de cargas libres negativas (electrones) en el material, con otras podemos aumentar las cargas libres positivas (que se llaman huecos). Una
muestra de material semiconductor que poseaimpurezas de las que aumentan el número de electrones se llama semiconductor tipo n (de negativo), y al contrario, si el semiconductor está “dopado” con impurezas que producen el aumento de los huecos de llama semiconductor tipo p (positivo). Lo verdaderamente interesante de todo esto es que podemos controlar la cantidad de impurezas de uno y otro tipo y, por lo tanto, el número de cargas libres quehay en la muestra. Pues bien, el diodo real basa su operación en una unión de semiconductor tipo p con otro tipo n, llamada unión pn. Es decir, si analizamos la estructura microscópica del diodo observamos que el
g R Vg V0 = V - i × =54
Semiconductor cambia de tipo p a tipo n al recorrerlo (Figura 2.7). Los detalles de los procesos físicos que describen el funcionamiento del diodo son propios deuna disciplina llamada “dispositivos semiconductores” y queda fuera de este texto. De modo que presentaremos el diodo “visto” desde afuera. Llamaremos ánodo al terminal conectado a la región tipo p y cátodo al conectado a la tipo n.
Cuando entre ánodo y cátodo (en ese orden) cae una tensión, que no depende del tiempo, de valor VD, la corriente ID que fluye a través del diodo depende de la tensión...