Diodos

3.
* Diodo de Si:
La construcción de un diodo de silicio comienza con silicio purificado. Cada lado del diodo se implanta con impurezas (boro en el lado del ánodo y arsénico o fósforo enel lado del cátodo), y la articulación donde las impurezas se unen se llama la "unión pn". Los diodos de silicio tienen un voltaje de polarización directa de 0,7 voltios. Una vez que el diferencial devoltaje entre el ánodo y el cátodo alcanza los 0,7 voltios, el diodo empezará a conducir la corriente eléctrica a través de su unión pn. Cuando eldiferencial de voltaje cae a menos de 0,7 voltios, launión pn detendrá la conducción de la corriente eléctrica, y el diodo dejará de funcionar como una vía eléctrica. Debido a que el silicio es relativamente fácil y barato de obtener y procesar, losdiodos de silicio son más frecuentes que los diodos de germanio.

* Diodos de germanio

Los diodos de germanio se fabrican de una manera similar a los diodos de silicio. Los diodos de germaniotambién utilizan una unión pn y se implantan con las mismas impurezas que los diodos de silicio. Sin embargo los diodos de germanio, tienen una tensión de polarización directa de 0,3 voltios. Elgermanio es un material poco común que se encuentra generalmente junto con depósitos de cobre, de plomo o de plata. Debido a su rareza, el germanio es más caro, por lo que los diodos de germanio son másdifíciles de encontrar (y a veces más caros) que los diodos de silicio.

* DIODOS ZENER:
Es un diodo que tiene un voltaje de avalancha relativamente bajo, menor de 100v. Aunque puede funcionar comorectificador la mayoría de aplicaciones se basan en hacerlo funcionar en la zona de avalancha, allí el diodo conduce y mantiene un voltaje entre sus terminales que es el voltaje Zener (VZ) o deavalancha. La máxima corriente que puede conducir es

Cuando el diodo esta polarizado inversamente, una pequeña corriente circula por él, llamada
corriente de saturación Is, esta corriente permanece...