Diseño de circuitos
La pulverización catódicaestá causada principalmente por el intercambio de momento entre los iones y los átomos del material, debido a colisiones. Se puede pensar en el proceso como una partida de billar a nivel atómico, con losiones (bola blanca) golpeando una agrupación de átomos densamente empaquetados (bolas de billar). Aunque la primera colisión empuja a los átomos más hacia dentro en la agrupación, colisionesposteriores entre los átomos pueden tener como resultado que algunos de los átomos cerca de la superficie sean expulsados. El número de átomos expulsados de la superficie por ion incidente es el rendimiento depulverización ("sputter yield") y es una medida importante de la eficiencia del proceso. Algunos factores que influyen en este parámetro, son la energía de los iones incidentes, sus masas y las delos átomos del blanco y la energía de enlace del sólido.
El término pulverización electrónica puede referirse tanto a la pulverización inducida por electrones con alta energía (como por ejemplo en unmicroscopio electrónico de transmisión), o a la pulverización mediante iones de muy alta energia o iones pesados altamente cargados que transfieren energía al sólido principalmente mediante unairradiación de partículas en la que la excitación electrónica produce la pulverización. La pulverización electrónica posee un alto factor de eficiencia de pulverización de aisladores, ya que lasexcitaciones electrónicas que producen la pulverización no son suprimidas en forma inmediata, como en cambio sucede en un material conductor. Un ejemplo en este sentido es la luna Europa de Júpiter que se...
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