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DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
30 de mayo de 2013
1. De un diodo de silicio (ni = 1010 cm-3) de unión abrupta plana conocemos las siguientes
características:
ND=1019 cm-3, ΦT = 0.921 V, A= 1 mm2
(VT = 25mV, ∈Si = 1.044 pF/cm)
a) Calcular el dopaje del ánodo.
b) Calcular la anchura de la zona dipolar y la capacidad de la unión en equilibrio.
c) Calcular el valor máximo del campoeléctrico en equilibrio.
Su resistencia serie es despreciable, de forma que su comportamiento se ajusta
perfectamente a la ecuación de Shockley de la siguiente figura.

Figura 1. Curva I-V del diododel problema 1

d) Obtener su corriente de saturación.
e) Si se utiliza en el siguiente circuito con VDC = 2 V ¿qué corriente circula por el
circuito? ¿Cuál es la tensión en el diodo? ¿Y si VDC =10V?

Figura 2. Circuito del diodo del problema 1

f) En tu opinión, ¿cuál de los siguientes modelos resulta más apropiado para modelar el
funcionamiento del diodo?
ID
Vγ = 0
Rf = 0

ID
VDA)

Vγ = 0.5 V
Rf = 0

ID
VD

Vγ = 0.4 V
Rf = 1 k Ω

B)

Figura 3. Aproximaciones que quieren evaluarse

(3 puntos)

C)

VD

2. En el circuito de la figura, se ha utilizado unBJT cuya ganancia de corriente en

emisor común es β=100 y VBE = 0.7 V. Respecto al circuito amplificador, se desea
que IC = 0.118 mA, Zout = 39 kΩ y Zin = 26.09 kΩ.

Figura 4. Circuitoamplificador del problema 2
Se pide:
a) Obtener el valor de la resistencia de colector, RC, y de las resistencias del
divisor de tensión de la base, RB1 y RB2.
b) ¿Es estable el punto de trabajo? Razonarla respuesta
c) Calcular la ganancia de tensión y la ganancia de corriente del montaje.
¿Dependen estas magnitudes del parámetro β?
d) Dibujar, en la misma gráfica, la señal de entrada, vs, y lacomponente de
señal de la tensión colector-emisor, vce, para:
d1) vs(t) = 300 mV·sin(wt)
d2) vs(t) = 1 V·sin(wt)
Razona los resultados obtenidos.
Supongamos ahora que desacoplamos toda la...