Dispositius electronics
Páginas: 10 (2408 palabras)
Publicado: 21 de mayo de 2010
Dispositius electrònics
Arnau Domingo González
ÍNDEX
El diode 3
Transistor bipolar 8
Amplificador operacional 11
El diode
El díode és un dispositiu de dos terminals el comportament dels quals no és lineal: deixa passar corrent en un sentit i la bloqueja en sentit contrari. Aquest caràcter no lineal fa que els circuits que contenen díodes no siguinlineals, pel que no poden ser analitzats aplicant el mètode de superposició, ni reduir-se a equivalents de Thévenin ni de Norton. El comportament del díode pot ser aproximat per un element de circuit denominat díode ideal, si bé algunes aplicacions requereixen l'ús de models més complexos. En els següents apartats es presentaran el díode ideal i alguns models que s'aproximen millor al comportamentdels díodes fabricats amb semiconductors.
El Diode ideal
El díode ideal és un element de circuit de dos terminals, el símbol circuital i característica corrent/tensió es representen en la figura 1.
[pic]
Fig1. (a) Símbol circuital (b) Característica corrent/tensió
Un dels terminals es denomina ànode i l'altre càtode. Quan el díode condueix, el corrent circula en el sentit d'ànode acàtode, sense caiguda de tensió entre ambdós terminals. Es diu que està polaritzat en directa i equival a un curtcircuit. Quan l'ànode és negatiu respecte al càtode el díode bloqueja el corrent i equival a un circuit obert. Es diu, en aquest cas, que el díode està polaritzat en inversa.
El diode real
Pràcticament tots els díodes que s'usen actualment en circuits electrònics estan fabricatsamb semiconductors. Consisteixen en la "unió" d'un semiconductor P i un semiconductor N (díode d'unió PN). Els semiconductors contenen càrregues mòbils positives i negatives. Un semiconductor P és un semiconductor que té més càrregues mòbils positives que negatives, mentre que el N té més càrregues negatives que positives. Quan s'aplica una tensió positiva al P respecte al N circula un corrent devalor elevat en el sentit de P a N, mentre que quan la polaritat de la tensió s'inverteix, el corrent canvia de sentit i és gairebé nul·la. El semiconductor P constituïx l'ànode del díode i el N el càtode. Els díodes fabricats amb semiconductors es comporten d'acord amb el model de la figura 2c, en el qual la font depenent de Cornet és funció de la tensió aplicada Vd, segons una corba del tipusindicat en la figura 2d, i el valor del condensador Cd depèn també de Vd (figura 2e). Aquest díode, que denominarem díode real, presenta, per tant, algunes diferències significatives respecte al comportament del díode ideal: inclou una capacitat Cd.
[pic]
Fig2. a) Estructura física del Diode d´unió PN. b) Símbol Diode real c) Circuit equivalent, d) Característica corrent-tensio, e)Dependenciade Cd amb la tensió
En polarització directa la caiguda de tensió entre les seves terminals no és nul·la (sol ser una mica menor que 1 V per a díodes de silici). Quan la polarització inversa supera el valor Vz el díode deixa de bloquejar el corrent i permet el pas d'un corrent elevat. Es diu, llavors, que el díode opera en la regió de ruptura, i es denomina a Vz tensió de ruptura . A pesar deles diferències assenyalades entre el díode real i el díode ideal, en moltes aplicacions el díode ideal aproxima acceptablement el comportament del díode real. Aquest sol ser el cas quan els efectes capacitius no són significatius (cas de senyals lents) i quan no opera en la regió de ruptura. No obstant això, si el díode treballa amb senyals ràpids o si opera en la regió de ruptura el díode ideal noés adequat per a modelar el comportament real del díode.
El diode zener
El corrent en la regió Zener té una adreça oposada a la d'un díode polaritzat directament. El díode Zener és un díode que ha estat dissenyat per a treballar en la regió Zener.
[pic]
Fig.3 Símbol circuital
D'acord amb la definició, es pot dir que el díode Zener ha estat dissenyat per a treballar amb voltatges...
Arnau Domingo González
ÍNDEX
El diode 3
Transistor bipolar 8
Amplificador operacional 11
El diode
El díode és un dispositiu de dos terminals el comportament dels quals no és lineal: deixa passar corrent en un sentit i la bloqueja en sentit contrari. Aquest caràcter no lineal fa que els circuits que contenen díodes no siguinlineals, pel que no poden ser analitzats aplicant el mètode de superposició, ni reduir-se a equivalents de Thévenin ni de Norton. El comportament del díode pot ser aproximat per un element de circuit denominat díode ideal, si bé algunes aplicacions requereixen l'ús de models més complexos. En els següents apartats es presentaran el díode ideal i alguns models que s'aproximen millor al comportamentdels díodes fabricats amb semiconductors.
El Diode ideal
El díode ideal és un element de circuit de dos terminals, el símbol circuital i característica corrent/tensió es representen en la figura 1.
[pic]
Fig1. (a) Símbol circuital (b) Característica corrent/tensió
Un dels terminals es denomina ànode i l'altre càtode. Quan el díode condueix, el corrent circula en el sentit d'ànode acàtode, sense caiguda de tensió entre ambdós terminals. Es diu que està polaritzat en directa i equival a un curtcircuit. Quan l'ànode és negatiu respecte al càtode el díode bloqueja el corrent i equival a un circuit obert. Es diu, en aquest cas, que el díode està polaritzat en inversa.
El diode real
Pràcticament tots els díodes que s'usen actualment en circuits electrònics estan fabricatsamb semiconductors. Consisteixen en la "unió" d'un semiconductor P i un semiconductor N (díode d'unió PN). Els semiconductors contenen càrregues mòbils positives i negatives. Un semiconductor P és un semiconductor que té més càrregues mòbils positives que negatives, mentre que el N té més càrregues negatives que positives. Quan s'aplica una tensió positiva al P respecte al N circula un corrent devalor elevat en el sentit de P a N, mentre que quan la polaritat de la tensió s'inverteix, el corrent canvia de sentit i és gairebé nul·la. El semiconductor P constituïx l'ànode del díode i el N el càtode. Els díodes fabricats amb semiconductors es comporten d'acord amb el model de la figura 2c, en el qual la font depenent de Cornet és funció de la tensió aplicada Vd, segons una corba del tipusindicat en la figura 2d, i el valor del condensador Cd depèn també de Vd (figura 2e). Aquest díode, que denominarem díode real, presenta, per tant, algunes diferències significatives respecte al comportament del díode ideal: inclou una capacitat Cd.
[pic]
Fig2. a) Estructura física del Diode d´unió PN. b) Símbol Diode real c) Circuit equivalent, d) Característica corrent-tensio, e)Dependenciade Cd amb la tensió
En polarització directa la caiguda de tensió entre les seves terminals no és nul·la (sol ser una mica menor que 1 V per a díodes de silici). Quan la polarització inversa supera el valor Vz el díode deixa de bloquejar el corrent i permet el pas d'un corrent elevat. Es diu, llavors, que el díode opera en la regió de ruptura, i es denomina a Vz tensió de ruptura . A pesar deles diferències assenyalades entre el díode real i el díode ideal, en moltes aplicacions el díode ideal aproxima acceptablement el comportament del díode real. Aquest sol ser el cas quan els efectes capacitius no són significatius (cas de senyals lents) i quan no opera en la regió de ruptura. No obstant això, si el díode treballa amb senyals ràpids o si opera en la regió de ruptura el díode ideal noés adequat per a modelar el comportament real del díode.
El diode zener
El corrent en la regió Zener té una adreça oposada a la d'un díode polaritzat directament. El díode Zener és un díode que ha estat dissenyat per a treballar en la regió Zener.
[pic]
Fig.3 Símbol circuital
D'acord amb la definició, es pot dir que el díode Zener ha estat dissenyat per a treballar amb voltatges...
Leer documento completo
Regístrate para leer el documento completo.