Dispositivos-de-disparo-ujt-y-put

EL TRANSISTOR UNtUNJON (UJT} Y
EL TRANSISTOR UNJUNION PROGRAMABLE (PUT}


6.1. INTRODUGGION

flu la prdctica anterior vimos,iin componente, cl Drist¤r, at que se Ie puede hacer consular desde e1 estado de bloqueo' at 't:stado conductor mediante la aplicacitio de un impulse convenieote en cl terminal dc. pucrtm En Oslo, vcmmos dos nuevos componentes, eI trarrsi9tor urtiuni6¤ (UTT) yet tra¤9istor urtiu¤ibo pcogra¤rabte (PUT), en los que tarnbi6o Irene lugar un paso brusco del cstado de bloqneo at cstado conductor, con la diferencia rmpccto at dcl tiristor so que este paso se produce cuando una mnsido de control rebasa uo valor detcrmioado.



SC. DESCilIPCION BA8IGA



las siglas inglesas du Uoijunction Transistor (transistor de u¤a barza de siJiciotipo I'd do
cuyos extremes se obticoco los terminates base 2 (By) y base 1 (B¡]. Sta Terre dc ethnic
consta de ko grade de dopado caracterisDco que Ie proporcicina una resistencia llamada
resiste¤cia i¤terbases (Jtgg).
En un punto determinado dc la barm, mls ‘pr6ximo a B, que a B;, se incrusta un
¤ratcrieJ opo P para for¤rar una u¤i6¤ P-J"T zespeato a la berra original, da¤dolugar aJ
terminal de cruiser (£). I2onsidcrando ellugnr de inscrci6n del material tipo P, se obtiene un divisor dc tcositio sobrc la iesistencia 1tgg original: e1 tornado por las partes correspoo- dilutes de la barra N comgontdm ee By y E y entre B y B,. A estas resistencias asi obtenidas se las deoomina ftp, y ftp,, respectivameotu La relaci6n existente entrc cllas es de suma iioportancia, deniaiiera que se define el partinetro iupi como







el cual dejmndc del precede dc fabricaci6n, del grade dc dopado, de la geometria del elemenio. etc xl tabricane sucle pioporcionar wie Rio ence sue hojas ciODes ,
w Wrgura s.1«mucstra la «m¤•r•r¤ i¤t«r¤a dc oo UJT.sieodo su circirito cquivaJ•otc
el do la Figura 5.lb. O simbolo usual Para ie t¤ª
ra 5.1r, in ct que se (j(jggjga que la punta de la flecha apunta











Tal como sc ve en ct circuito dc la Figura SQ la forma habitual de polarimr at HIT cs mediante dos batcrias. una fUaal que polnriza a las bases y la elm (Hz:c) ' ''¤ E-B;, ono H que se deta a dicha uni6o de una polarizaci6ndirecta_ Este circuito nos
serum para obtencr las was caractcristicas del UJT.


Wrg¤ra :tZ CJrc¤Jto para obtc¤er las


En principio supondrcmos quo cl poteocidmetro P es un cortocirciiito. Si inicialmcnte se hace Egg — 0 y se aumonta progrusivamcntc la tcnsi6n Ugy. la uni6n t:-B¡ se comforta como un diode polarizado cn directo.
El fuocionamicnto di6cre notablei¤entecuando g es distinta de cero. flu este caso, y
para una tensi6n Ugp — O, circulart una corriente a travi:s de la barra dc silicio de valor
tal, que en ct clitodo del diode se obtendrt uoa tensi6n





quedaodo, por tanto. la sono P-N goth en inverse y circulando uoa corricote

del diode y, consecucntemcotc. la corriente de emisor. hasta llegar a un punto en ct qoe on
circulacorriente: esta tensi6ii g serf de valor igual a Up.
Si so cootiniia aumeotando g ol diode queda polarizado en directo, comenmndo a Granular una corriente de cruiser, y cuaodo la tensile Ugg almnza el valor Up mls los 0,7
wellies corcespondientes a la tensi6n de code del diorlo, el cruiser inyecta portadores en la mgi6o N 6o aqu?l, modulando la resistencia ftp,, con to que Isla disminuyede valor hasta pr?cticamente desaparecer. flu ese momento, la tensile Pgg, cae bruscamente, aumentan- do ip con la misma rapidez: se ha producido el cebado del UJT.
A la tcositin g, coirespondientc at cebado se la conocc como tertentu de pico (Up) y ooene como valor



De la cxpresi6n anterior se deduce que la tcnsi6n de cebado del UJT depends de la teosi6¤ dc aJiroe¤taci6o (Fgg), co¤...