Dispositivos de tres terminales

CLASIFICACIÓN DE LOS COMPONENTES DE TRES TERMINALES:
* BJT (Transistor de unión Bipolar)

* NPN

* PNP

* FET (Transistor de Efecto de Campo)

* JFET

* Canal P

* Canal N

* MOSFET

* Acumulación

* Canal P

* Canal N

* Deplexión

* Canal P

* Canal N

* Transistor BJT (Transistor de Unión Bipolar)Posee tres regiones dopadas. La región inferior es el emisor, la región media o intermedia es la Base y la región superior es el Colector. La base e la más estrecha y esta ligeramente dopada mientras que el Emisor esta altamente dopado y es de un tamaño intermedio entre la base y el colector. El colector es la más ancha de las tres y posee un dopado intermedio entre al base y el emisor.
El transistortiene dos uniones: colector-base también llamada diodo colector y emisor-base conocida como diodo emisor, su barrera de potencial es de 0.7 V en el transistor de silicio y en el de germanio de 0.3 V.
Existen dos tipos de transistores: el NPN y el PNP, su forma habitual de polarización es polarizar en directa el diodo emisor y en inversa el diodo colector lo que proporciona mejores resultados.L corriente en el transistor puede fluir en dos direcciones: salir por la base o fluir hacia el colector donde la mayoría fluirá hacia el colector debido a las características de la base. El emisor tiene la corriente más grande. El transistor es un dispositivo controlado por corriente.

IE=IB+IC

Existen tres formas de conectar un transistor: en EMISOR COMÚN (EC), COLECTOR COMÚN (CC) y BASECOMÚN (BC).

EB BC CC
Curva de Entrada
La curva de entrada es semejante a la del diodo normal debido a la polarización directa del diodo emisor.

Curva de Salida o Curva de Colector
En esta curva se presenta las diferentes regiones en las que el funcionamiento del transistor Varia. Un transistor tiene 4 regiones de operacióndistintas: ACTIVA, DE CORTE, SATURACIÓN y DISRUPCIÓN.

La primera de ellas es la región intermedia donde el voltaje toma valores entre 1 y 40 V y tiene lugar el funcionamiento normal del transistor mejor conocida como la región activa. En la región de disrupción el transistor nunca funcionara porque se destruiría mientras que en la región de saturación el voltaje toma valores entre 0 yuna decimas de Voltio y la corriente pasara toda. Existe una región donde puede ocurrir una curvatura inesperada mejor conocida como la región de corte donde la corriente del transistor es 0 mientras que el voltaje prevalece.
Estas 4 regiones o modos de operación tienen diferentes funcionamientos en los distintos tipos de conexión del transistor como se muestra a continuación:

Los transistorestienen una gran multitud de aplicaciones en las que se encuentran: Amplificadores de todo tipo, generadores de señales, conmutación, actuando como interruptores, Detectores de radiación luminosa y también son empleados en conversores estáticos de potencia o llaves de alta potencia.

* FET (Transistor de Efecto de Campo)
Los FET son transistores controlados por Voltaje a diferenciade los BJT que son controlados por corriente. Este tipo de transistores son unipolares o sea que solo conducen en un tipo de material ya sea del tipo P o del tipo N y poseen una alta impedancia. Están hechos de Silicio y Germanio basados en generar un campo eléctrico.
Los FET se clasifican en dos tipos: JFET y MOSFET, este último a su vez, se clasifica en MOSFET de acumulación y deplexión.Los JFET o Transistores de Efecto de Campo de Unión poseen al igual que el BJT tres terminales pero estas están denominadas de distinta manera las cuales son: COMPUERTA (GATE), FUENTE (SOURES) y DRENAJE (DRAIN).
Existen dos tipos de JFET, los de canal N y los de canal P.

Donde su estructura interna es:

Donde la unión GS se polariza en inversa provocando que se forme una zona de transición...