Dispositivos Electronicos de potencia

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
Introducción
Los progresos en los dispositivos semiconductores de potencia se remontan a finales de 1957 cuando se creó el primer tiristor de SCR. Sinembargo el desarrollo del tiristor comercial se realizó un año después en 1958, y desde entonces se han introducido muchas clases distintas de dispositivos semiconductores de potencia y de técnicas deconversión.
En 1970 se desarrollaron varios tipos de dispositivos semiconductores de potencia, hasta ese año los tiristores convencionales se habían utilizado exclusivamente para el control de potenciaen aplicaciones industriales. A partir de este año se desarrollaron varios tipos de dispositivos semiconductores de potencia, que se fabricaban con silicio o carburo de silicio.
Estos dispositivosse pueden se pueden dividir en tres clases:
Diodos de potencia
Transistores de potencia
Tiristores
También se pueden dividir en 5 tipos:
Diodos de potencia
Tiristores
Transistores de uniónbipolar (BJT: Bipolar Junction Transistors)
Transistores de efecto campo de oxido de metal semiconductor (MOSFET: Metal Oxide Semiconductor Field- Effect Transistors)
Transistores bipolares decompuerta aislada (SIT: Static Induction Transistors)
Otra forma de clasificar los dispositivos semiconductores de potencia es en base a sus características:
1. Cerrado y abertura no controlado (diodo)2. Cerrado controlado y abertura no controlada (SCR)
3. Características controladas de cerrado y abertura (BJT, MOSFET, GTO, SITH, IGBT, SIT, MCT)
4. Necesidad de señal continua en compuerta (BJT,MOSFET, IGBT, SIT)
5. Necesidad de impulso en compuerta (SCR, GTO, MCT)
6. Capacidad de resistencia a voltaje bipolar (SCR, GTO)
7. Capacidad de resistencia a voltaje bipolar (BJT, MOSFET, GTO, IGBT,MCT)
8. Capacidad de corriente bidireccional (TRIAC, RCT)
9. Capacidad de corriente unidireccional (SCR, GTO, BJT, MOSFET, MCT, IGBT, SITH, SIT, diodo)

Diodos de Potencia

Un diodo tiene dos...