Dispositivos_electronicos Parte1
DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
LEOPOLDO PARRA REYNADA
RED TERCER MILENIO
AVISO LEGAL
Derechos Reservados 2012, por RED TERCER MILENIO S.C.
Viveros de Asís 96, Col. Viveros de la Loma, Tlalnepantla, C.P. 54080, Estado de México.
Prohibida la reproducción parcial o total por cualquier medio, sin la autorización por escrito del
titular de los derechos.
Datos paracatalogación bibliográfica
Leopoldo Parra Reynada
Dispositivos electrónicos
ISBN 978-607-733-186-5
Primera edición: 2013
Revisión pedagógica: Germán Adolfo Seelbach González
Revisión editorial: Ma. Eugenia Buendía López
DIRECTORIO
Bárbara Jean Mair Rowberry
Directora General
Jesús Andrés Carranza Castellanos
Director Corporativo de Administración
Rafael Campos Hernández
Director AcadémicoCorporativo
Héctor Raúl Gutiérrez Zamora Ferreira
Director Corporativo de Finanzas
Luis Carlos Rangel Galván
Director Corporativo de Mercadotecnia
Ximena Montes Edgar
Directora Corporativo de Expansión y Proyectos
ÍNDICE
Introducción
4
Objetivo general de aprendizaje
6
Mapa conceptual general
7
Unidad 1. Introducción
8
Mapa conceptual
9
Introducción
10
1.1 Antecedentes históricos
11
1.2Aplicaciones
15
1.3 Conceptos básicos
17
1.3.1 Señal eléctrica
17
1.3.2 Transductor
18
1.3.3 Señal analógica
18
1.3.4 Señal digital
19
1.3.5 Acoplamiento
20
1.3.6 Amplificación
21
1.3.7 Proceso de señal
21
Autoevaluación
23
Unidad 2. Concepto de física de semiconductores
26
Mapa conceptual
27
Introducción
28
2.1 Modelos de bandas
30
2.2 Semiconductores intrínsecos yextrínsecos
34
2.3 Conducción eléctrica en semiconductores
38
2.4 Unión P-N y características asociadas: densidad de carga, campo
eléctrico, potencial electroestático, capacitancia y relación I-V
40
2.5 Unión PIN
46
Autoevaluación
48
Unidad 3. El diodo semiconductor y modelos
53
Mapa conceptual
54
1
Introducción
55
3.1 Diodo semiconductor
56
3.2 Modelos: ideal, exponencial, de señalgrande y de señal pequeña
63
Autoevaluación
70
Unidad 4. El transistor de efecto de campo (FET)
73
Mapa conceptual
74
Introducción
75
4.1 Estructura, funcionamiento y curvas características de un FET
78
4.2 Modelos y polarización
82
4.3 El MOSFET como elemento de conmutación
86
4.4 El amplificador básico
90
4.5 Especificaciones de fabricante
92
Autoevaluación
97
Unidad 5. Eltransistor bipolar de juntura (TBJ)
101
Mapa conceptual
102
Introducción
103
5.1 Estructura, funcionamiento y curvas características
105
5.2 Modelos y polarización
109
5.3 El TBJ como inversor y compuertas lógicas
114
5.4 El amplificador básico
117
5.5 Especificaciones del fabricante
120
Autoevaluación
126
Unidad 6. El amplificador operacional
130
Mapa conceptual
131Introducción
134
6.1 Modelo ideal
134
6.2 Análisis de circuitos lineales: inversor, no inversor, sumador, diferencial,
integrador, derivador, convertidores de voltaje a corriente y corriente a
voltaje
136
6.3 Análisis de circuitos no lineales: el rectificador de precisión,
comparadores y amplificadores logarítmicos
148
2
Autoevaluación
145
Unidad 7: Reguladores de voltaje
160
Mapaconceptual
161
Introducción
162
7.1 El regulador de aire
164
7.2 Reguladores integrados y especificaciones del fabricante
166
7.3 Fuente de poder
176
7.3.1 Fuente regulada simple positiva
180
7.3.2 Fuente regulada simple negativa
181
7.3.3 Fuente múltiple
181
7.3.4 Fuente regulada variable
182
7.3.5 Fuente simétrica
183
Autoevaluación
186
Unidad 8: Otros dispositivos electrónicos
190Mapa conceptual
191
Introducción
192
8.1 Tubos al vacío
193
8.2 SCR, triac y diac
197
8.3 Dispositivos optoelectrónicos
205
8.3.1 Diodos emisores de luz o LED
205
8.3.2 Diodo láser
208
8.3.3 Fotodetectores
208
8.3.4 Optoacopladores
211
Autoevaluación
217
Glosario
221
Bibliografía
225
3
INTRODUCCIÓN
Sería muy difícil imaginar qué sería del mundo actual si no existiera...
Regístrate para leer el documento completo.