Dispositivos Electronicos

PROCEDIMIENTO
Monte el circuito de la figura 1 con el diodo de silicio. Ajuste el valor de tensión E de tal forma que la caída de tensión en la resistencia VR sea 0.1 V. Mida entonces VD.Calcule el valor de ID y anótelo en la Tabla 2. Repita el procedimiento para los valores de VR indicados en la Tabla 2.
Ajuste la tensión de entrada E a -5 V y mida los valores indicados enla segunda columna de la Tabla 2.
Figura 1: Circuito de Medición 1.
VR
VD
R = 1 KΩ
F

Tabla 2: Valores de tensión y corriente para el diodo de silicio
VR [V] | | | | | | | ||
E[V] | -5 | -4.5 | -3 | -1.5 | 1.5 | 3 | 4.5 | 5 |
VD[V] | -5.02 | -4.52 | -3.4 | -1.54 | 0.56 | 0.6 | 0.62 | 0.63 |
ID[mA] | 0 | 0 | 0 | 0 | 0.91 | 2.41 | 3.9 | 4.5 |

Evaluación4. ¿Cómo se puede explicar la ausencia de corriente inversa en ambos diodos?
5. Investigue que es la resistencia estática RD de un diodo ¿Cómo se puede calcular?
La aplicación de unvoltaje continuo a un circuito que contiene un diodo semiconductor tendrá por resultado un punto de operación sobre la curva característica que no varía con el tiempo. La resistencia del diodo enel punto de operación puede encontrarse fácilmente localizando primero los valores correspondientes de VD y de ID, y aplicando posteriormente la siguiente ecuación:

RD=VDID(Ω)Determinación de la resistencia estática de un diodo semiconductor en un punto de operación específico de la curva.

Los niveles de resistencia para la región de polarización inversa naturalmenteserán muy altos. En general, a menor corriente a través del diodo mayor será el nivel de resistencia en corriente continua.

6. Utilizando los resultados de los puntos 4 y 5 calcule laresistencia estática RD en la polarización directa para los diodos de silicio y germanio, y en la polarización inversa para los diodos zener en los puntos de operación indicados en la Tabla 3.