Dispositivos Electronicos

[DISPOSITIVOS ELECTRONICOS] Guía de Estudio

1. Dado el valor de VD medido en el circuito, determine I D ,VDS ,VGG

a. I D  3.125mA,VDS  9V ,VGG  1.5V
b. I D  1.125mA,VDS  8V ,VGG  1.6V
c. I D  5.125mA,VDS  5V ,VGG  2.5V
d. I D  10.125mA,VDS  9V ,VGG  1.5V

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2. Determine VD para la polarización fijadel siguiente circuito.

a. VD  8V
b. VD  9V
c. VD  10V
d. VD  5V
3. La variable de entrada que controla un transistor BJT es el nivel de
_________.
a. Voltaje
b. Corriente
c. Potencia
d. Frecuencia
4. La variable de entrada que controla un transistor FET es el nivel de
_________.
a. Potencia
b. Frecuencia
c. Voltaje
d. Corriente.
5. De la misma manera que existen transistoresbipolares npn y pnp, hay
transistores de efecto campo de _____________.
a. Canal k y Canal-p
b. Canal resistivo y Canal inductivo
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c. Canal-h y Canal-j
d. Canal-n y Canal-p
6. Sin embargo es importante considerar que el transistor BJT es un transistor
bipolar; el prefijo bi indica que el nivel de conducción es unafunción de
dos portadores de carga, los electrones y los huecos. EL FET es un
dispositivo ________ que depende únicamente de la conducción o bien, de
electrones (canal-n) o de huecos (canal-p).
a. Unipolar
b. Bivalente
c. Pentavalente
d. Resistivo
7. Si VDS se eleva a un nivel donde pareciera que las dos regiones de
agotamiento se tocaran como se muestra en la figura se ocasionara unacondición referida como estrechamiento. Al nivel de VDS que establece esta
condición se le denomina _____________
a. Voltaje de Saturación
b. Voltaje Resistivo
c. Voltaje Conducción
d. Voltaje de estrechamiento o Voltaje de Pinch-off

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8. Para la configuración de polarización por divisor de voltaje, determinecuanto vale VB .
a. VB  1.96V
b. VB  1.56V
c. VB  1.86V
d. VB  1.26V
9. Sin importar el tipo de configuración que se utilice en un transistor BJT, las
relaciones básicas entre las corrientes son siempre las mismas y el voltaje
base-emisor es el _________ si el transistor se encuentra en estado
encendido.
a. Valor de Saturación
b. Valor de ruptura
c. Valor de umbral
d. Valor depolarización inversa
10. La configuración en los transistores BJT por __________ es probablemente
la más común de todas las configuraciones. Su popularidad se debe
principalmente a su baja sensibilidad ante cambios en la beta de un
transistor a otro dentro del mismo lote.
a. Polarización Fija
b. Divisor de Voltaje
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c.Polarización en Base
d. Polarización en Emisor
11. Para el análisis de dc de una red de transistores, todos los capacitores se
remplazan por un________.
a. Equivalente en circuito abierto
b. Por un Corto circuito
c. Por un conjunto de diodos en paralelo
d. Por un conjunto de resistencias en serie
12. Si el circuito de la figura tiene R1  100k  y R f  500k  , ¿que voltaje
resulta para unaentrada de V1  2V ?

a. Vo  20V
b. Vo  5V
c. Vo  50V
d. Vo  10V
13. ___________ es el concepto basado en el hecho práctico de que el voltaje
de entrada diferencial entre las entradas de signo positivo (+) y de signo
negativo (-) es prácticamente de cero volts; cuando se calcula como el
voltaje de salida (a lo mucho, el del voltaje de alimentación) dividido entre
la ganancia devoltaje del op-amp muy alta.
a. Tierra virtual
b. Una Fuente virtual
c. Un capacitor virtual
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d. Un diodo virtual
14. Las características básicas de un op-amp son:
a. Impedancia de entrada muy alta (por lo general megaohms),
ganancia de voltaje muy grande (por lo general de uno cientos de
miles o mayor) e impedancia...