Dispositivos SCR

Tipo
Termi-nales
Nombre
Material
Símbolo
Disparo principal mediante
Valores Máximos ( V y A)
Principales aplicaciones
Uni-direccional
(bloqueo inverso)
2
Diodo de cuatro capas
shockleySilicio

Tensión mas alta de la ruptura del ánodo
400 volts
300 Amperes a pico de impulso
Disparador SCR, circuitos de temporización, generadores de impulso.
Uni-direccional
(bloqueo inverso)3
Rectificador controlado de silicio SCR
Silicio

Señal de puerta (gate)
1800V
550 A
(media)
Conversión de potencia sustituyendo a dispositivos electromecánicos de control de velocidad demotor, control de fase de conmutación.
Uni-direccional
(bloqueo inverso)
3
SCR con puerta amplificadora
Silicio

Señal de puerta
1200V
110 A
Inversores y troceadores.
Uni-direccional
(bloqueoinverso)
3
SCR activado por luz
(LASCR)
Silicio fotoactivo

Señal de puerta Y/O radiación
200V
1A
Monitores de posición, interruptores estáticos, interruptores de límite, circuitosdisparadores, controles fotoeléctricos.
Uni-direccional
(bloqueo inverso)
3
Conmutador con control de puerta(CGS)
Silicio

La señal de G conmuta al GCS tanto en corte como en conducción
500V
10AConmutadores de c.c., inversores, circuitos lógicos.
Uni-direccional
(bloqueo inverso)
3
Conmutador unilateral de silicio (SUS)
Silicio

Tensión mas alta que la de ruptura o señal de G
10V
0.2amperes
Circuitos de temporización, disparadores, detector de umbral.
Bi-direccional
4
Conmutador controlado de silicio (SCS)
Silicio

Señal de puerta en cualquiera de ellas(Gx,Gx2)
200 V
1 AAlarmas, circuitos lógicos, contadores y circuitos de detección
Bi-direccional
2
DIAC
Silicio

Tensión mas alta que la ruptura en cualquier dirección
400V
60 A
Protección de sobretensión,control de fase en c.a.
Bi-direccional
3
TRIAC
Silicio

Señal de puerta
1000V
200A
Conmutación y control de fase de suministro de c.a de 60 Hz, como motores y calentadores.
Tríodo
3...