Dispositivos Semiconductores De Potencia
Páginas: 15 (3523 palabras)
Publicado: 20 de septiembre de 2011
Servicio Nacional de Aprendizaje – SENA REGIONAL NORTE DE SANTANDER
CENTRO de la industria, la empresa y de servicios
Fecha: Septiembre de 2010
Dispositivos Semiconductores De Potencia
Sistema de Gestión de la Calidad
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Abstract: The semiconductor devices are very important elements in the circuits of power because they are who allow the operation of a respectiveapplication, as she can be an implemented across-the-line starter with TRIAC, the work consists of as much knowing each these devices its symbolism as its operation.
GENERAL Conocer los dispositivos semiconductores de potencia en algunos de sus aspectos.
ESPECIFICOS 1. Identificar las características conducción y simbología que representan cada uno de ellos. de se
INTRODUCCION Los dispositivossemiconductores utilizados en Electrónica de Potencia se pueden clasificar en tres grandes grupos, de acuerdo con su grado de controlabilidad. Dispositivos no controlados: en este grupo se encuentran los Diodos. Los estados de conducción o cierre (ON) y bloqueo o abertura (OFF) dependen del circuito de potencia. Por tanto, estos dispositivos no disponen de ningún terminal de control externo.Dispositivos semicontrolados, en este grupo se encuentran, dentro de la familia de los Tiristores, los SCR (“Silicon Controlled Rectifier”) y los TRIAC (“Triode of Alternating Current”). En éste caso su puesta en conducción (paso de OFF a ON) se debe a una señal de control externa que se aplica en uno de los terminales del dispositivo, comúnmente denominado puerta. Por otro lado, su bloqueo (paso de ONa OFF) lo determina el propio circuito de potencia. Es decir, se tiene control externo de la puesta en conducción, pero no así del bloqueo del dispositivo. Dispositivos totalmente controlados: en este grupo encontramos los transistores bipolares BJT (“Bipolar Junction ransistor”), los transistores de efecto de campo MOSFET (“Metal Oxide semiconductor Field Effect Transistor”), los transistoresbipolares de puerta aislada IGBT (“Insulated Gate Bipolar Transistor”) y los tiristores GTO (“Gate Turn-Off Thyristor”), entre otros.
2. Interpretar las características de voltaje, corriente y potencia al momento de utilizar estos dispositivos. 3. Saber cuales son las posibles aplicaciones en las que se pueden desempeñar estos dispositivos.
MARCO TEORICO DIODO DE POTENCIA: Un diodosemiconductor es una estructura P-N que, dentro de sus límites de tensión y corriente, permite la circulación de corriente en un único sentido. Detalles de funcionamiento, generalmente despreciados para los diodos de señal, pueden ser significativos para componentes de mayor potencia, caracterizados por un área mayor (para permitir mayores corrientes) y mayor longitud (para soportar tensiones inversas máselevadas). La figura 1 muestra la estructura interna de un diodo de potencia. La figura 1.1 muestra el símbolo y la característica estática corriente-tensión de un diodo de potencia.
TIRISTORES: El tiristor engloba una familia de dispositivos semiconductores que trabajan en conmutación, teniendo en común una estructura de cuatro capas semiconductoras en una secuencia P-N-PN, la cual presenta unfuncionamiento biestable (dos estados estables). La conmutación desde el estado de loqueo (“OFF”) al estado de conducción (“ON”) se realiza normalmente por una señal de
OBJETIVOS
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Fecha: Septiembre de 2010
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control externa. La conmutación desde el estado “ON” al estado “OFF” se produce cuando la corriente por el tiristor es más pequeña que un determinado valor, denominada corriente de mantenimiento, (“holding current”), específica para cada tiristor. Dentro de la familia de los tiristores podemos destacar los SCRs (tiristores unidireccionales) y TRIACs (tiristores...
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Abstract: The semiconductor devices are very important elements in the circuits of power because they are who allow the operation of a respectiveapplication, as she can be an implemented across-the-line starter with TRIAC, the work consists of as much knowing each these devices its symbolism as its operation.
GENERAL Conocer los dispositivos semiconductores de potencia en algunos de sus aspectos.
ESPECIFICOS 1. Identificar las características conducción y simbología que representan cada uno de ellos. de se
INTRODUCCION Los dispositivossemiconductores utilizados en Electrónica de Potencia se pueden clasificar en tres grandes grupos, de acuerdo con su grado de controlabilidad. Dispositivos no controlados: en este grupo se encuentran los Diodos. Los estados de conducción o cierre (ON) y bloqueo o abertura (OFF) dependen del circuito de potencia. Por tanto, estos dispositivos no disponen de ningún terminal de control externo.Dispositivos semicontrolados, en este grupo se encuentran, dentro de la familia de los Tiristores, los SCR (“Silicon Controlled Rectifier”) y los TRIAC (“Triode of Alternating Current”). En éste caso su puesta en conducción (paso de OFF a ON) se debe a una señal de control externa que se aplica en uno de los terminales del dispositivo, comúnmente denominado puerta. Por otro lado, su bloqueo (paso de ONa OFF) lo determina el propio circuito de potencia. Es decir, se tiene control externo de la puesta en conducción, pero no así del bloqueo del dispositivo. Dispositivos totalmente controlados: en este grupo encontramos los transistores bipolares BJT (“Bipolar Junction ransistor”), los transistores de efecto de campo MOSFET (“Metal Oxide semiconductor Field Effect Transistor”), los transistoresbipolares de puerta aislada IGBT (“Insulated Gate Bipolar Transistor”) y los tiristores GTO (“Gate Turn-Off Thyristor”), entre otros.
2. Interpretar las características de voltaje, corriente y potencia al momento de utilizar estos dispositivos. 3. Saber cuales son las posibles aplicaciones en las que se pueden desempeñar estos dispositivos.
MARCO TEORICO DIODO DE POTENCIA: Un diodosemiconductor es una estructura P-N que, dentro de sus límites de tensión y corriente, permite la circulación de corriente en un único sentido. Detalles de funcionamiento, generalmente despreciados para los diodos de señal, pueden ser significativos para componentes de mayor potencia, caracterizados por un área mayor (para permitir mayores corrientes) y mayor longitud (para soportar tensiones inversas máselevadas). La figura 1 muestra la estructura interna de un diodo de potencia. La figura 1.1 muestra el símbolo y la característica estática corriente-tensión de un diodo de potencia.
TIRISTORES: El tiristor engloba una familia de dispositivos semiconductores que trabajan en conmutación, teniendo en común una estructura de cuatro capas semiconductoras en una secuencia P-N-PN, la cual presenta unfuncionamiento biestable (dos estados estables). La conmutación desde el estado de loqueo (“OFF”) al estado de conducción (“ON”) se realiza normalmente por una señal de
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control externa. La conmutación desde el estado “ON” al estado “OFF” se produce cuando la corriente por el tiristor es más pequeña que un determinado valor, denominada corriente de mantenimiento, (“holding current”), específica para cada tiristor. Dentro de la familia de los tiristores podemos destacar los SCRs (tiristores unidireccionales) y TRIACs (tiristores...
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